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IR 推出PQFN封裝和銅夾技術(shù)的中壓功率MOSFET
新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實現(xiàn)基準性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機驅(qū)動開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。
2010-07-08
IR PQFN封裝 銅夾技術(shù) MOSFET
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VISHAY推出0603尺寸的薄膜平坦片狀保險絲
TFU 0603薄膜扁平片狀保險絲采用1.55 mm x 0.85 mm x 0.45 mm片狀尺寸，額定電壓為32V，提供高達4A的電流以及35A的斷流容量。該保險絲為移動消費電子產(chǎn)品中的dc/dc轉(zhuǎn)換器，電池充電器和低壓電源提供二級過流保護，器件符合關(guān)于有害物質(zhì)的法律條令的CEFIC-EECA-EICTA清單。器件數(shù)量超過500萬的價格為...
2010-07-08
VISHAY 薄膜平坦片狀 保險絲
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多晶硅價格重拾升勢 生產(chǎn)商擔憂成本壓力增加
日前，我國部分省市取消針對多晶硅項目的優(yōu)惠電價，導(dǎo)致多晶硅生產(chǎn)成本提升，加上全球光伏產(chǎn)品需求超預(yù)期，國內(nèi)多晶硅尤其是高純多晶硅的供應(yīng)又呈現(xiàn)供不應(yīng)求的苗頭。對此，不少晶硅電池生產(chǎn)商擔憂多晶硅價格的提升會帶來成本壓力的增加。
2010-07-08
多晶硅 高耗能 光伏
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2010年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計增長
由于消費產(chǎn)品需求回升，iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營業(yè)收入增長率預(yù)測上調(diào)了2.8個百分點。
2010-07-08
純晶圓代工 營業(yè)收入 增長 iSuppli
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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650V CoolMOS C6/E6高壓功率晶體管
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起。
2010-07-07
英飛凌 CoolMOS C6/E6 MOSFET
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恩智浦新增高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海及波士頓近郊
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射頻研發(fā)的投資，2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市（近波士頓）開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。
2010-07-07
恩智浦 高性能射頻 上海 波士頓近郊
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解析創(chuàng)新高精度數(shù)據(jù)采集SoC設(shè)計方案
目前該類多系列的SoC已經(jīng)成功應(yīng)用于包括高性能太陽能自動上位人體秤、電子血壓計等應(yīng)用，實現(xiàn)了超過50萬片的累積銷量，成功地幫助芯海科技在國內(nèi)數(shù)據(jù)采集器件市場占有了一席之地。
2010-07-07
SoC 芯海科技 數(shù)據(jù)采集器件
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三網(wǎng)融合打破FTTx發(fā)展瓶頸
經(jīng)過兩年多的大規(guī)模建設(shè)，中國FTTB的部署量已經(jīng)達到了3000萬線的規(guī)模，預(yù)計 2010年底，將超過6000萬線以上的規(guī)模，城市地區(qū)的寬帶用戶基本上都可以實現(xiàn)FTTB接入，“光進銅退”的第一階段將基本完成。
2010-07-07
三王融合 FTTx 電信 IPTV
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