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電磁干擾濾波電容器使用方法
電容器是電路中最基本的元件之一，利用電容濾除電路上的高頻騷擾和對電源解耦是所有電路設(shè)計人員都熟悉的。但是，隨著電磁干擾問題的日益突出，特別是干擾頻率的日益提高，由于不了解電容的基本特性而達(dá)不到預(yù)期濾波效果的事情時有發(fā)生。本文介紹一些容易被忽略的影響電容濾波性能的參數(shù)及使用電容...
2008-09-29
電磁干擾 濾波器 電容器 穿心電容
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設(shè)計實例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。一個隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍僅約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開關(guān)S1就會關(guān)閉，而來...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計需要高效率和低IQ
由于在機(jī)箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設(shè)計師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設(shè)計
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景。總之，技術(shù)與市場潛力是一個產(chǎn)業(yè)成長的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來越大和動態(tài)要求的越來越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識。本文對AVP控制策略的有源法和無源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測方法實現(xiàn)AVP控制,并通過比較實驗證實了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無源法
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EMI及無Y電容手機(jī)充電器的設(shè)計
本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點和動點的概念，然后詳細(xì)地說明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補償設(shè)計以及靜點和動點的調(diào)整方法，以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實驗波形和測試結(jié)果。
2008-09-29
傳導(dǎo)干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測量傳感器
NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測量電流方法中的缺點，并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個霍爾效應(yīng)發(fā)生器，對關(guān)鍵噪聲具有完美免疫力，在并排安裝在三相應(yīng)用中時，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。
2008-09-29
HX系列 霍爾效應(yīng) 噪聲 干擾
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基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測量系統(tǒng)
本文討論了比率測量方法的優(yōu)點，介紹了運用感應(yīng)耦合比率臂和差動式電容位移傳感器設(shè)計的高精度微小位移測量系統(tǒng)。給出了一種實驗系統(tǒng)的設(shè)計例子和主要的測試結(jié)果，說明了該設(shè)計在小位移測量中的有效性。
2008-09-29
位移測量 感應(yīng)耦合比率臂 電容傳感器 納米測量
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電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。
2008-09-29
場效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過壓
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