【導讀】安森美半導體高性能器件推進便攜及消費電子產品的能效及保護性能，全面的產品陣容提供高集成度、特性豐富及能耗更低的產品，專門為電池供電、對噪聲敏感且空間受限的設計而開發。
安森美半導體在本年度的Electronica展會及研討會上推出兩款新的單通道功率MOSFET。新的MCH3383 P溝道MOSFET提供12伏(V)的漏極至源極電壓(VDSS)、3.5安培(A)的漏極電流(ID)及69毫歐((mΩ))的導通電阻(RDS(ON))，而MCH3484 N溝道MOSFET提供20 V的VDSS、4.5 A的ID及330 mΩ的RDS(ON)。這些器件非常適合用于數碼錄音筆(IC recorder)及智能手機。
推動高能效創新的安森美半導體持續讓多種便攜及消費電子產品更省電，推出擴充陣容的高集成度、特性豐富、低能耗的方案，用于便攜及消費電子產品。
展會上并推出NCP4545、NCP45520/21及NCP45524/25用于高能效電源域開關的ecoSWITCH系列，它們是極緊湊、先進負載管理方案的新成員。這些器件結合控制及驅動功能，均包含以可調節歪曲率控制提供的軟啟動功能，集成了低導通電阻功率MOSFET及電荷泵。它們適合于筆記本/平板電腦、便攜式媒體設備、企業級計算系統、熱插拔設備、外設端口、電信及工業設備和各種便攜設備。
此外，NCP333、NCP334、NCP335、NCP336及NCP337是新推出的高性價比、極緊湊、高性能的負載開關。這些基于MOSFET的器件輸入電壓范圍涵蓋1.2 V至5.5 V，均內置輸出放電通道以消除輸入電壓軌上的殘余電壓。它們經過了優化，用于手機、筆記本/平板電腦及數碼相機等應用。
安森美半導體還推出了NCP702、NCP703 及NCP729低壓降(LDO)線性穩壓器，這些器件的輸入電壓范圍為2.0 V至5.5 V，提供超低靜態電流和內置過熱關閉機制。這些器件的優異性能特性使其非常適合于必須維持信號完整性的噪聲敏感型應用，如鎖相環(PLL)、振蕩器、頻率合成器及低噪聲放大器。它們被證實極適用的終端產品包括智能手機、數碼相機、平板電腦、便攜式DVD/媒體播放器、無線耳機、WiFi板和便攜式GPS系統，以及便攜式醫療設備。
