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低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

發布時間:2021-10-26 責任編輯:lina

【導讀】近年來,隨著5G、AI、生物識別等技術的不斷發展,攝像頭也迎來了升級迭代。無論是清晰度還是智能化程度抑或是應用場景,都在不斷加強和豐富,遠程醫療、遠程辦公、AI測溫、非接觸式識別等等。對攝像頭而言,實時的清晰圖像傳輸是其運作的基礎,因此產品的穩定性、清晰度成為了重要的指標。

 

近年來,隨著5G、AI、生物識別等技術的不斷發展,攝像頭也迎來了升級迭代。無論是清晰度還是智能化程度抑或是應用場景,都在不斷加強和豐富,遠程醫療、遠程辦公、AI測溫、非接觸式識別等等。對攝像頭而言,實時的清晰圖像傳輸是其運作的基礎,因此產品的穩定性、清晰度成為了重要的指標。


手機攝像頭供電方案


通常來講,一個攝像頭硬件上包括五個部分:外殼(馬達)、鏡頭、紅外濾光片、圖像傳感器和撓性印刷電路板。圖像傳感器作為攝像頭的核心部件,其組件特別容易被電源干擾,并且電源噪聲會影響像素正常捕獲光線的能力,導致照片質量不佳。手機作為應用最為廣泛的移動智能終端,隨著攝像頭3D感測技術的發展,手機攝像頭應用已經擴展到生物識別、人機交互、AR體驗等場景,手機多攝像頭的增長需求,更是給電源的設計帶來了極大的挑戰。


低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

圖1  維安LDO手機攝像頭供電方案


CMOS Image Sensor(圖像傳感器)需要三路電源(Core,Analog和I/O),其中2.8V為模擬電壓,1.8V為I/O數字電壓,1.2V為核電壓。此時,通過維安WR0332外置低壓差線性穩壓器(LDO)為CMOS Image Sensor供電,可將集中在IC的熱量分散開,抑制整個電路的發熱量,實現高轉換效率,有助于進一步降低手機攝像頭模塊的功耗。特別是應用于 AVDD時,優秀的紋波抑制能力[email protected] ,還能顯著較少電源線干擾噪聲,為CMOS圖像傳感器穩定供電。另外核電壓部分,維安還開發設計了1.0V~1.2V輸出的規格,可根據用戶的需求選擇不同的電壓給Core供電。


對于要求低Vin的攝像頭模組應用,當前大部分解決方案是使用輸入1.8V或者1.6V轉輸出1.05V/1.1V的LDO,維安的WR0513可以實現1.2V輸入電源來提供輸出1.05V或1.1V的解決方案。伴隨著手機攝像頭數量的增加,電池可供給的電量和安裝攝像頭的空間都會受限, 維安WR0332/WR0341、WR0513系列在兼顧小型化封裝DFN-4 1mm*1mm*0.4mm的同時能夠很好的解決功耗和供電問題。


低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

圖2  維安LDO低Vin輸入手機攝像頭供電方案


#維安低壓差線性穩壓器(LDO)


安防監控系統供電方案


安防視頻監控系統要求信號實時、連續、清晰,而且圖像信號的數據量非常大,需要將模擬攝像機采集到的模擬視頻信號編碼壓縮成數字信號,從而可以直接接入網絡交換及路由設備。網絡攝像機一般由圖像/聲音傳感器、A/D轉換器、圖像/聲音/控制器網絡服務器、外部報警、控制接口、鏡頭等部分組成。其對系統供電要求非常高,特別是在模擬部分要求低噪聲。此時LDO就可以作為完美解決方案。


低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

圖3  LDO安防監控系統供電方案


圖3為系統電源管理部分的設計,內置的DC/DC轉換器電路將12 V直流供電轉換成5.0V后,需要多路LDO提供不同電壓的輸出,給系統的數字電源、模擬電源、主芯片的內核以及IO供電。選用維安LDO為系統供電,可在確保高可靠性的同時實現攝像頭模塊低EMI和高效率的電源電路。


#維安低壓差線性穩壓器(LDO)


選型關鍵參數及主要產品系列


低壓差線性穩壓器的主要性能參數有漏失電壓、瞬態響應、輸出精度、PSRR & Noise等。在CMOS Image Sensor 及安防監控系統供電時,對LDO比較敏感的參數主要是PSRR和Noise。LDO的噪聲主要有兩部分構成,一部分來自輸入端前級電路,另一部分則來自LDO自身。前者可通過提高PSRR來抑制外部的噪聲干擾。后者就需要通過優化LDO的設計或者引入前饋電容來優化輸出Noise。


低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

圖4  噪聲頻譜圖


在安防監控系統當中如果帶有音頻信號的處理應用,那么就需要LDO給麥克風提供偏置電壓。由于麥克風微弱的信號在系統中會經過放大和A/D(模數)轉換,因此LDO在音頻范圍內(20 Hz~20 kHz)的Noise的差異會對編解碼后的數字音頻輸出產生較大的影響。


低壓差線性穩壓器(LDO)在攝像頭應用中的創新設計

圖5  PSRR @ 10 Hz to 10 MHz


CMOS Image Sensor的動態負載范圍主要在10kHz到1MHz之間。因此,在較高頻率下,高PSRR可改善圖像質量。另外PSRR由LDO有源控制;而在高于100 kHz的頻率范圍,PSRR更多的受到系統中無源器件(電容器、負載電流、PCB布板)的影響。


在系統電路中, 提高紋波抑制能力需要注意以下幾點:


1、LDO的選擇。根據CMOS Image Sensor對電源PSRR的要求來選擇適合的LDO。


2、選擇合適的電容器。對于某些陶瓷電容器,實際電容值隨直流偏壓和應用的工作溫度范圍而變化,因此增加更多的電容并不一定會改善性能。


3、盡可能留夠壓降的余量。LDO工作在接近Dropout模式時沒有充分的空間來抑制輸入紋波信號,會降低PSRR。


4、優化PCB線路。保證布板的合理性及接地環路設計盡可能小,以減少外部紋波的串擾。


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