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運用雙MOSFET避免SEU的影響

發布時間:2024-06-08 責任編輯:lina

【導讀】很久很久以前,在一個遙遠的星系中,有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發,而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。


很久很久以前,在一個遙遠的星系中,有某個東西突然間爆炸了。其造成的結果是亞原子物質的爆發,而其中的一些物質最終在我們這里找到了出路。


這種情況經常重復出現,而且仍有更多的亞原子物質正朝著這個方向發展。當它們到達時,它們會非常地分散,以至于可以單獨地檢測到在它們之中的任何一個。遺憾的是,進行這種檢測的對象是您巧妙設計到產品中的半導體時,造成的結果被稱為“單粒子翻轉”(single event upset,SEU),在某些情況下,它可能造成相當大的破壞。如果您的產品處于地球軌道或在太空中的其他地方快速移動,這一點尤其值得關注。


以使用MOSFET的推挽式逆變器為例。如果“off”側MOSFET在本不應該開啟的時候被錯誤地開啟,其結果可能會導致驅動軌電壓對接地近乎短路。類似這樣的事件可能是災難性的。


這張草圖顯示的就是這樣的一種逆變器,但它具有保護功能,能夠避免因單粒子翻轉而造成的災難。


運用雙MOSFET避免SEU的影響

圖1:每個標示的“X”表示MOSFET正經歷一次單粒子翻轉。


無論哪一個MOSFET因單粒子翻轉而導通,其余三個開關位置都將保持開關狀態,直到受到沖擊的MOSFET開關位置恢復正常。


在此電路中,單粒子翻轉將會暫時干擾變壓器驅動平衡,但并不至于對+Vcc軌造成潛在的災難性下拉,因為受影響的MOSFET的配套MOSFET可以維持預期的開關狀態。

文章來源:EDN電子技術設計

 

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