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光敏電阻從原理到國產替代的全面透視與選型指南
光敏電阻（Photoresistor/LDR）是一種基于光電導效應的半導體器件，其電阻值隨入射光強度變化而改變。核心材料為硫化鎘（CdS）、硒化鎘（CdSe）等半導體，通過光照激發載流子（電子-空穴對），降低材料電阻值。無光照時，暗電阻可達1.5MΩ；強光照下，亮電阻可低至1kΩ以下。
2025-05-20
光敏電阻
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MOSFET技術解析：定義、原理與選型策略
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種通過柵極電壓控制源漏電流的半導體器件，具備高輸入阻抗、低功耗、高頻特性等優勢，廣泛應用于電源管理、電機驅動、通信設備等領域。
2025-05-20
MOSFET
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線繞電阻與金屬膜電阻技術對比及選型指南
在電子電路設計中，電阻作為基礎元件，其性能直接影響電路的穩定性與精度。線繞電阻與金屬膜電阻作為兩大主流類型，在技術特性與應用場景上存在顯著差異。線繞電阻以高精度、強過載能力著稱，常用于工業控制、儀器儀表等對穩定性要求嚴苛的領域；而金屬膜電阻則憑借小型化、低成本優勢，廣泛應用于...
2025-05-20
線繞電阻 金屬膜電阻
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中微公司在TechInsights 2025半導體供應商獎項調查中榮獲兩項第一
在全球技術分析和知識產權服務提供商TechInsights舉辦的2025年半導體供應商獎項調查(Semiconductor Supplier Awards Survey)中榮獲六大獎項，其中在WFE基礎芯片制造商（WFE to Foundation Chip Makers）、薄膜沉積設備（Deposition Equipment）兩個榜單中位列第一。
2025-05-19
中微公司
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線繞電阻與碳膜電阻技術對比及選型指南
線繞電阻采用鎳鉻合金等高電阻率金屬絲繞制在陶瓷骨架上，表面覆蓋絕緣釉層。其電阻值由繞線長度、線徑及合金成分決定，典型溫度系數可達±5ppm/℃，精度可達0.01%（E96系列）。碳膜電阻則通過真空沉積工藝在陶瓷基體形成碳基薄膜，電阻值由膜層厚度和碳濃度控制，溫度系數通常為±200ppm/℃，精度范圍0...
2025-05-18
線繞電阻 碳膜電阻
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從實驗室到市場：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。
2025-05-16
安森美 碳化硅
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厚膜電阻在通信基礎設施中的關鍵應用與技術突破
隨著5G通信技術的商用化進程加速，通信基礎設施對元器件的性能要求日益嚴苛。厚膜電阻憑借其優異的高頻特性、精密控制能力和環境適應性，在5G基站電源、光模塊驅動等核心場景中扮演著不可替代的角色。本文以Yageo RC系列和BOURNS 3590S系列為例，深入剖析其在通信基礎設施中的技術實現與應用價值。
2025-05-16
厚膜電阻 通信基礎設施
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貿澤電子聯合ADI與Samtec發布工業AI/ML電子書：探索工業自動化未來
業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子宣布與ADI和Samtec合作推出全新電子書《9 Experts Discuss Robotics, AI, and ML in Industrial Applications》（9位專家探討工業應用中的機器人、AI和ML），探討機器人、人工智能 (AI) 和機器學習 (ML) 如何改變制造業、物流業等領域的格局。通過精密運動控...
2025-05-16
貿澤電子 ADI Samtec 機器人 AI ML領域
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工程師必看！從驅動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰手冊
MOSFET因其獨特的性能優勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面：驅動電路設計簡化，所需驅動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動；開關速度優異，無電荷存儲效應，支持高速工作；熱...
2025-05-15
MOSFET 選型 應用實戰 熱管理
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