【導讀】IDT推出最低功率DDR3內存緩沖芯片MB3518，擁有獨有的調試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術的開發、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。
擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT公司今天推出業界首款低功率DDR3內存緩沖芯片MB3518，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的最高數據傳輸速率，并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量，新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領域的領導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用于服務器、工作站和存儲應用的先進內存子系統的關鍵組件。
MB3518是一個低功率 DDR3 內存緩沖芯片，能在 1 個通道內與 2 個 LRDIMM 以高達1866 兆/秒的傳輸速率運行。假設一個 32GB 容量的 4 通道 (quad-rank) LRDIMM，相當于在一個典型服務器中傳輸速率為 1866 兆/秒的 512GB 容量，那么使用 8 通道 64GB 的 LRDIMM 容量能翻番達到超過 1TB，預計將在 2013 年推出。這意味著相比于標準注冊的雙列直插內存模塊 (RDIMMs)，在最高速度等級的相對容量內實現了四倍的提升，使計算系統能夠支持更多內存并提升應用性能。內存緩沖芯片可在 1.5 V 或 1.35V 下運行，在不犧牲性能的前提下提供業界最低的功耗。這直接使得終端用戶在功率和冷卻方面節約可觀的運營費用。
IDT 公司副總裁兼企業計算部總經理 Mario Montana 表示：“作為內存接口解決方案的領導廠商，IDT 正在提高 LRDIMM 的性能極限。通過專注于低功率和高性能，在提升速度的同時堅持開發高效節能的解決方案以降低數據中心的運行成本并減少碳排放，IDT 的客戶們可以從中獲益。從系統來看，IDT 豐富的接口和互聯產品組合為廣大客戶提供了有吸引力的價值選擇，幫助他們構建市場上最先進的企業服務器和存儲設備。”
美光DRAM 市場部副總裁 Robert Feurle 表示：“美光致力于提供能夠在提升性能的同時降低功率的 LRDIMM 解決方案，來滿足我們的客戶在高性能計算 (HPC)、數據中心和云計算方面的需求。我們很高興與 IDT 緊密合作，開發下一代 LRDIMM 產品。”
IDT 的內存緩存芯片擁有獨有的調試和驗證特性，包括每個引腳和晶片示波器的支持和內置邏輯分析儀的采集以促進全緩沖 DIMM 拓撲技術的開發、驗證和測試。這些特性對于 LRDIMM 模塊上的內存緩沖到 DRAM 接口尤其重要，因為它是完全獨立于主控制器和自動測試儀的。IDT 內存緩沖芯片符合聯合電子工程委員會 (JEDEC) 設立的最嚴格的規范。
供貨
IDT MB3518 和 MB3516 目前已向合格客戶提供樣品，有蓋和無蓋產品均采用 588 引腳 FCBGA 封裝。
