【導(dǎo)讀】柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。
柵極驅(qū)動(dòng)中最關(guān)鍵的時(shí)刻是IGBT的開(kāi)啟和關(guān)閉。我們的目標(biāo)是快速執(zhí)行此功能，在IGBT開(kāi)啟時(shí)噪音和振鈴最小。不過(guò)，上升/下降時(shí)間過(guò)快可能會(huì)導(dǎo)致不必要的振鈴和不良EMI，而上升/下降時(shí)間過(guò)慢會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。
圖1：DGD0216 的柵極驅(qū)動(dòng)組件
上圖展示的是來(lái)自Diodes的DGD0216柵極驅(qū)動(dòng)器組件。通過(guò)仔細(xì)選擇RG和RRG，可以有選擇地控制IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器的上升和下降時(shí)間。開(kāi)啟時(shí)，所有電流將通過(guò)RG流過(guò)IC，并對(duì)IGBT柵極電容充電，因此增加或減少RG將相應(yīng)地增加或減少應(yīng)用中的上升時(shí)間。隨著DRG的添加，下降時(shí)間可以獨(dú)立控制，因?yàn)殛P(guān)斷電流從IGBT柵極電容通過(guò)RRG和DRG流向集成電路中的驅(qū)動(dòng)器到GND。因此，增加或減少RRG將相應(yīng)地增加或減少下降時(shí)間。有時(shí)不需要這種精細(xì)控制，在這種情況下，您可以只使用RG。
增加導(dǎo)通和關(guān)斷可以限制由寄生電感引起的振鈴和噪聲，因此在噪聲環(huán)境中，可能需要增加?xùn)艠O電阻。柵極元件的選擇是一個(gè)折衷方案，即一方面，上升時(shí)間越快，振鈴越多，電磁干擾越差，但效率越高；而另一方面，上升時(shí)間越慢，電磁干擾和噪聲性能越好，而效率越差。
柵極元件的精確值取決于應(yīng)用程序的參數(shù)和系統(tǒng)要求。RG值通常在5Ω到50Ω之間，最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流決定。RRG值通常在3Ω和20Ω之間，最佳值由IGBT柵極電容和柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流決定。
更多有關(guān)晶體管的技術(shù)信息, 參見(jiàn)digikey.cn以下內(nèi)容：
· 晶體三級(jí)管基礎(chǔ)
· 并聯(lián)雙極型晶體管
· 如何尋找BJT、MOSFET和IGBT晶體管的替代物料
· 如何確定元件是否具有極性
· 快速計(jì)算BJT額定功率？記住這個(gè)公式就夠了
（來(lái)源：得捷電子DigiKey ，作者Digi-Key）
免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀：
面向移動(dòng)機(jī)器人的無(wú)線充電技術(shù)實(shí)現(xiàn)工業(yè)4.0
利用物聯(lián)網(wǎng)充分發(fā)揮智能電網(wǎng)優(yōu)勢(shì)
