久久亚洲日韩精品一区二区三区-日本免费一区二区三区最新-成人片黄网站色大片免费观看cn-少妇人妻偷人精品无码视频-欧美三级中文字幕在线观看

你的位置:首頁(yè) > 電路保護(hù) > 正文

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

發(fā)布時(shí)間:2024-12-22 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】任何導(dǎo)熱材料都有熱阻,而且熱阻與材料面積成反比,與厚度成正比。按道理說(shuō),銅基板也會(huì)有額外的熱阻,那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢?這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來(lái)的好處。


前言

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。

任何導(dǎo)熱材料都有熱阻,而且熱阻與材料面積成反比,與厚度成正比。按道理說(shuō),銅基板也會(huì)有額外的熱阻,那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢?這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來(lái)的好處。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
熱橫向擴(kuò)散

除了熱阻熱容,另一個(gè)影響半導(dǎo)體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳導(dǎo)。這個(gè)術(shù)語(yǔ)指熱能在熱導(dǎo)體內(nèi)立體交叉?zhèn)鬏敚礋崃坎粌H能垂直傳導(dǎo)也可以橫向傳導(dǎo)。根據(jù)公式1,可由表面積A和厚度d計(jì)算Rth。

如果熱源的熱流Pth,C從一個(gè)有限面向另一個(gè)面積更大的熱導(dǎo)體傳導(dǎo),熱量的出口面積Aout比進(jìn)口表面積Ain大,因此熱流密度不斷減小,但總熱量不變,如圖一和圖二所示。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
出口表面積Aout比進(jìn)口表面積Ain大多少取決于兩個(gè)因素:

1.平板的厚度d
2.熱擴(kuò)散角α

在熱的橫向傳導(dǎo)時(shí),定為一個(gè)方形熱源,熱導(dǎo)體的熱阻可以近似計(jì)算為:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
式中,a2in為入口表面Ain的邊長(zhǎng)(m)。

熱擴(kuò)散角α表示熱導(dǎo)體的一種特性,如果有幾層不同的材質(zhì),每層的Rth必須單獨(dú)確定,然后綜合所有熱阻值得出總熱阻。圖三給出了采用兩層不同材質(zhì)散熱時(shí)熱的橫向傳導(dǎo)。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
由于熱的橫向傳導(dǎo),根據(jù)方形進(jìn)口表面積:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
第一層材料的熱阻為:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

而對(duì)于第二層材料,第一層的橫向傳導(dǎo)導(dǎo)致第二層入口表面積增大為:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
這樣第二層材料的熱阻為:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
而它有效的出口面積:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
因此,綜合兩層的情況得到總的熱阻為:

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
分析

基于這知識(shí)點(diǎn),我們可以做什么分析呢?

采用相同芯片的銅基板模塊FS50R12KT4_B15比DCB模塊FS50R12W2T4散熱性能好,以50A 1200V IGBT4技術(shù)的模塊為例,結(jié)對(duì)散熱器的熱阻差48%。

由于DCB模塊FS50R12W2T4沒(méi)有銅基板,結(jié)對(duì)殼的熱阻RthJC=0.45k/W,比有銅基板模塊FS50R12KT4_B15熱阻結(jié)對(duì)殼的熱阻要低一些,因?yàn)殂~基板引入的熱阻;但DCB模塊殼對(duì)散熱器的熱阻要高很多,因?yàn)闊釘U(kuò)散效應(yīng)。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
單管IKW40N120T2與模塊比,更小的芯片尺寸,40A單管的結(jié)對(duì)殼的熱阻RthJC=0.31k/W,遠(yuǎn)低于模塊,這是因?yàn)樾酒苯雍附釉阢~框架上,由于熱擴(kuò)散效應(yīng),散熱更好。

4個(gè)芯片比單個(gè)芯片散熱要好。

要驗(yàn)證我們的猜想4個(gè)芯片通過(guò)并聯(lián)實(shí)現(xiàn)大電流要比單個(gè)大電流芯片散熱要好,可以研究圖二中的Aout的值。

我們做一個(gè)paper design,把4個(gè)50A 1200V芯片IGC50T120T6RQ,取代單個(gè)200A 1200V芯片,為了簡(jiǎn)化問(wèn)題,我們假設(shè)芯片是直接燒結(jié)在3mm厚的銅板上,并假設(shè)熱擴(kuò)散角是45度。

通過(guò)下表的計(jì)算發(fā)現(xiàn),4個(gè)50A芯片的Aout=100.9*4=403.6mm2,比單個(gè)200A芯片280mm2要大44%,散熱更好。

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
總結(jié)

本文第一章摘自參考資料《IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用》,通過(guò)分析各種封裝產(chǎn)品的數(shù)值給讀者量化的概念,供參考。


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


我愛(ài)方案網(wǎng)


推薦閱讀:

準(zhǔn) Z 源逆變器的設(shè)計(jì)

第12講:三菱電機(jī)高壓SiC芯片技術(shù)

一文看懂電壓轉(zhuǎn)換的級(jí)聯(lián)和混合概念

意法半導(dǎo)體推出首款超低功耗生物傳感器,成為眾多新型應(yīng)用的核心所在

是否存在有關(guān) PCB 走線電感的經(jīng)驗(yàn)法則?

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉

主站蜘蛛池模板: 亚洲精品高清国产一线久久| 亚洲αv久久久噜噜噜噜噜| 日日摸日日碰人妻无码| 精品国产经典三级在线看| 动漫av永久无码精品每日更新 | 黑人大战日本人妻嗷嗷叫不卡视频 | 久久婷婷五月综合色丁香| 亚洲国产精品久久久久久| 久久久国产精华液| 国产精品毛片va一区二区三区| 亚洲国产精品无码久久秋霞| 午夜福利无码一区二区| 日本精品一区二区三区四区| 亚洲午夜福利在线观看| 同性男男黄g片免费网站| 人人妻人人澡人人爽欧美一区| 久久亚洲日韩看片无码| 狂野欧美性猛交免费视频| 久久久久国产综合av天堂| 国产精品无码素人福利| 热久久视久久精品18| 777午夜福利理论电影网| 一本大道东京热无码一区| 国产精品久久无码一区二区三区网| 国产亚洲精品久久久久久禁果tv| 国产在线一区二区三区四区五区 | 欧美激情综合五月色丁香| 桃花色综合影院| 成人无码男男gv在线观看网站| 亚洲色欲色欲77777小说网站 | 久久久久免费精品国产| 国产精品久久久| 成人天堂资源www在线| 亚洲国产欧洲综合997久久| 粉色午夜视频| 日韩亚洲欧美精品综合| 人妻丰满熟妇av无码区乱| 学生妹亚洲一区二区| 中文字字幕人妻中文| 97久久综合亚洲色hezyo| 99久久精品国产一区二区三区|