- 屏蔽性能的指標
- 表面轉移阻抗
- 轉移阻抗
- 耦合衰減
- 屏蔽系數
- 屏蔽耦合損耗
1.表面轉移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
按IEC61196-1測試同軸電纜的方法，測試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線后用50Ω信號源激勵。被測試線長1米，測試頻率30MHz，頻率越高，線長越短導體表面轉移阻抗。主要用于評估連接硬件的屏蔽效率，其實測值不超過以下計算值。
ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
ZTcable：表面轉移阻抗，單位mΩ/m
f：信號頻率，單位MHz
2.轉移阻抗(TransferImpedance)
轉移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關，其數值可通過實驗室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗，計算得出。
Ri1=Ri2=50Ω——網絡分析儀特性阻抗
R1=50Ω——饋電電阻
R2=50Ω——終端電阻
U1=信號發射電壓(V)
U2=信號接收電壓(V)
Uc=被測設備兩端電壓
Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
Zt=轉移阻抗(Ω)
Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1
由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB，轉移阻抗(Zt)也可以表示為：
Zt=100•10α/20(Ω)
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
耦合衰減用于描述電纜系統的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr：線纜接收功率;Pi：在內導體上產生的噪聲功率)
將電纜近似看作電磁場中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信號波長，PD：電磁場功率密度)
內部內部導體產生噪聲功率Pi=內部導體產生噪聲功率Vi2/Z(Vi：內導體上的噪聲電壓;Z內導體阻抗，50Ω)
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4屏蔽系數(GB54419-1985)
按下圖裝置，測試電纜金屬護套及鎧裝層的理想屏蔽系數γ0s=VC/VS(線芯上的感應電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。
5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
GTEM小室饋入功率與被測件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
采用GTEM小室測量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。
