- 頂端部直徑約8mm
- 100μm以下的測量分辨率
- 60MHz～2.5GHz可檢測頻率范圍
- 較高的靈敏度
- 適用于電子設備的EMC測量
- 天線附近的電場測量
- 開發(fā)高頻電路時的驗證作業(yè)
- 高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態(tài)分析
日本Stack電子開發(fā)出了可準確測量微小電場分布狀態(tài)的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產(chǎn)品采用日本信息通信研究機構(gòu)（NICT）轉(zhuǎn)讓的技術(shù)開發(fā)，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發(fā)高頻電路時的驗證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態(tài)分析等。
目前，無線通信的使用頻率日益增高，而且隨著以個人電腦為代表的電路運行速度的提高，越來越多的用戶希望能夠測量電磁場的強弱并了解其影響。人們通常采用以較小的金屬導體環(huán)形天線（Loop Antenna）等測量的方法，但這種方法存在想要測量的電磁場狀態(tài)會因金屬導體接近而發(fā)生改變的缺陷。
此次開發(fā)的探測器則不存在這種缺陷，其特點是，可在幾乎不影響測量電場的情況下，測量出微小電場的狀態(tài)。此次利用了對特殊結(jié)晶材料施加電場時結(jié)晶材料的光折射率會發(fā)生改變的光電（EO）效應，由于測量部分沒有使用金屬導體，因此可在幾乎不破壞電場的情況下進行測量。另外，還采用了可在結(jié)晶材料內(nèi)部通過光學頻率轉(zhuǎn)換使其產(chǎn)生中間頻率的光外差技術(shù)，從而能以較低的頻率完成信號處理。能以較高的靈敏度穩(wěn)定地檢測出高頻信號。
為了便于攜帶，探測器實現(xiàn)了頂端部直徑約8mm、不含光纖部的長度約65mm的外形尺寸。通過聚集導入結(jié)晶材料的光，實現(xiàn)了100μm以下的測量分辨率。
此次開發(fā)試制的機型具備60MHz～2.5GHz的可檢測頻率范圍。預計今后會將最高頻率擴大至數(shù)THz。該公司計劃在2009年度底之前改進該產(chǎn)品，使其能夠檢測出40GHz左右的高頻信號。
另外，Stack電子還計劃在11月25日～27日于日本太平洋橫濱會展中心舉行的“微波展2009”上展出此次的試制機。
