【導讀】Microsemi擴展其NPT IGBT產品系列，發布三款1200V IGBT新產品。相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。
致力于能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品系列的所有器件均基于美高森美的先進Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用于大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機、太陽能逆變器和不間斷開關電源。
美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡化產品開發工作。其它特性包括：
相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關性能；硬開關運行頻率大于80 KHz，實現更高效的功率轉換；易于并聯(Vcesat的正溫度系數)，提升大功率應用的可靠性；以及額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠運作。
此外，美高森美將于短期內提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件，包含了一個60A反并聯(anti-parallel)超快恢復二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。
封裝和供貨
美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L采用TO-264封裝，APT85GR120J則采用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求并在產，客戶可通過當地經銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。
關于美高森美公司
美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通信、國防與安全、航天，醫療與工業，以及新能源市場提供業界綜合性的半導體與系統解決方案系列，包括混合信號集成電路、系統單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產品、時鐘與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件，以及以太網供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產品。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數約3,000人。
