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采用創(chuàng)新數(shù)字預(yù)失真技術(shù)進(jìn)行ADC和音頻測(cè)試的高性能信號(hào)源
要測(cè)試精密儀器儀表，需要使用超低失真、低噪聲、高性能的信號(hào)發(fā)生器。新的產(chǎn)品通常需要保證性能指標(biāo)在較高的水平。有些參考設(shè)計(jì)（例如ADMX1002）利用高性能精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)簡(jiǎn)化了這一任務(wù)，這些轉(zhuǎn)換器具有出色的精度和分辨率水平。1此外，加入一種創(chuàng)新數(shù)字預(yù)失真算法可以進(jìn)一步增強(qiáng)測(cè)試信號(hào)的...
2023-01-27
數(shù)字預(yù)失真 ADC 音頻測(cè)試
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精細(xì)之至，方顯英雄本色——保證源表測(cè)量精度的小秘籍
精準(zhǔn)的測(cè)試，幾乎是所有工程師測(cè)試工作永恒的追求目標(biāo)。但這絕非易事，特別是小信號(hào)的測(cè)量。例如，半導(dǎo)體器件、材料、醫(yī)療、MEMS、發(fā)光器件等，需要測(cè)量精確伏安（I-V）特性曲線、絕緣特性、電容漏電流、暗電流等小信號(hào)，源表往往是首選。
2023-01-20
源表測(cè)量 KEYSIGHT
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誤差矢量幅度(EVM)測(cè)量怎樣提高系統(tǒng)級(jí)性能
誤差矢量幅度(EVM)是廣為使用的系統(tǒng)級(jí)性能指標(biāo)，許多通信標(biāo)準(zhǔn)將其定義為用于無線局域網(wǎng)(WLAN 802.11)、移動(dòng)通信(4G LTE、5G)等應(yīng)用的合規(guī)性測(cè)試。除此之外，它還是一個(gè)極為有用的系統(tǒng)級(jí)指標(biāo)，可通過簡(jiǎn)單易懂的值來量化系統(tǒng)中所有潛在損害的綜合影響。
2023-01-20
EVM ADI
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網(wǎng)絡(luò)分析儀在材料測(cè)試中的應(yīng)用
自然界中大多數(shù)物質(zhì)在微波波段都呈現(xiàn)為有損耗的絕緣體，稱之為電介質(zhì)，簡(jiǎn)稱介質(zhì)。介質(zhì)在電場(chǎng)的作用下都會(huì)發(fā)生極化現(xiàn)象，即介質(zhì)在外加電場(chǎng)的作用下其內(nèi)部的正負(fù)電荷向著相反方向發(fā)生微小位移，從而產(chǎn)生許多電偶極矩。介質(zhì)極化后在介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)極化電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)的方向與外加電磁場(chǎng)的方向相反，...
2023-01-12
網(wǎng)絡(luò)分析儀 材料測(cè)試
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模擬人體離子傳輸機(jī)制 仿生皮膚可進(jìn)行自我愈合
一段軟質(zhì)材料被刀割破，室溫條件下放置一小時(shí)后，經(jīng)測(cè)試，其力學(xué)性能可恢復(fù)至原始狀態(tài)的91%……近日，中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所生物基高分子材料團(tuán)隊(duì)與韓國(guó)漢陽(yáng)大學(xué)以及韓國(guó)忠南大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)共同合作，開發(fā)出一種“超靈敏且可自我修復(fù)的離子皮膚”。相關(guān)論文在線發(fā)表于《自然·通訊》。
2023-01-09
人體離子傳輸機(jī)制 仿生皮膚
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基于深度學(xué)習(xí)的地震波逆時(shí)偏移補(bǔ)償方法
逆時(shí)偏移作為重要的地震偏移技術(shù)，已經(jīng)成為復(fù)雜構(gòu)造成像的有力工具。地下構(gòu)造的強(qiáng)衰減體引起地震波 振幅減弱和相位失真，直接影響地下有效油氣儲(chǔ)層的識(shí)別精度，而現(xiàn)有逆時(shí)偏移補(bǔ)償技術(shù)具有計(jì)算復(fù)雜、補(bǔ)償精度低等不足。
2022-12-29
地震波 逆時(shí)偏移補(bǔ)償
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如何設(shè)計(jì)更優(yōu)質(zhì)的脈搏血氧儀？
許多身體病狀可能造成低血氧，其中包括哮喘、心臟疾病、慢性阻塞性肺病(COPD)、肺部疾病、肺炎重癥等，因此可能需要在住家或醫(yī)院進(jìn)行持續(xù)或間歇性監(jiān)視。患有低血氧的人可能出現(xiàn)頭昏、感知混淆、呼吸費(fèi)力或急促、以及頭痛等癥狀。
2022-12-28
脈搏血氧儀
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巔峰對(duì)決：三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰(shuí)？
集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對(duì)低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長(zhǎng)的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。
2022-12-21
CMOS工藝 英特爾 臺(tái)積電
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什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真
在“DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對(duì)耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進(jìn)行電路工作仿真，還會(huì)介紹可以同時(shí)執(zhí)行該IC和外置器件肖特基勢(shì)壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環(huán)境及其使用方法。
2022-12-21
DC-DC轉(zhuǎn)換器 熱仿真
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