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可穿戴設備中的傳感器:尺寸越來越“小”,左右越來越“大”!
市場上的可穿戴設備五花八門,歸結起來主要分為兩類:醫(yī)用可穿戴設備、健身穿戴設備。其中,醫(yī)用可穿戴設備是直接支持醫(yī)生監(jiān)測和治療患者的設備,所有這些設備在上市前必須經過醫(yī)療主管部門的批準。對于健身穿戴設備而言,其主要應用也可以說是用于醫(yī)療保健,只不過它們收集的數(shù)據(jù)大多用于運動健康...
2022-10-17
可穿戴設備 傳感器 貿澤電子
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MOS管的Miller 效應
本文對于 MOS 管工作在開關狀態(tài)下的 Miller 效應的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現(xiàn)電源的緩啟動。
2022-10-12
MOS管 米勒效應
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如何應對不間斷電源(UPS)設計挑戰(zhàn)
電池供電的不間斷電源(UPS)在保護數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時間較長的情況下,它們能夠提供必要的短期電力,以實現(xiàn)有準備的斷電,防止數(shù)據(jù)丟失。
2022-09-29
不間斷電源 電路設計
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電源設計器件布局和布線要點
在電源設計中,精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設計至關重要,要為尺寸、精度、效率留出足夠空間,以避免在生產中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經驗,以及布局工程師具備的專業(yè)知識,最終完成電路板生產。
2022-09-26
電源設計 布局
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什么是dV/dt失效
如下圖(2)所示,dV/dt失效是由于MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB,導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產生電位差VBE,使寄生雙極晶體管導通,引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常,dV/dt越大(越陡),VBE的電位差就越大,寄生雙極晶體管越容易導通,從而越容易發(fā)生失效...
2022-09-22
dV/dt失效 MOSFET
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【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片
SGM38045 是圣邦微電子重點推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。
2022-09-21
AMOLED 電源芯片
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MEMS麥克風已成消費市場的主流產品選擇
麥克風已經是眾多電子產品中內置的標準器件,從可穿戴設備到家庭助理,越來越多的設備被要求“聽到”它們的環(huán)境,并隨之做出相對的反應。本文將全面概述麥克風類型和基本原理,以及CUI Devices微機電系統(tǒng)(MEMS)麥克風的產品特性。
2022-08-29
MEMS麥克風 消費市場
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在開關模式電源中,當脈沖被忽略時...
即使是具有固定開關頻率的開關電源,也并非總是顯示連續(xù)的脈沖。在某些情況下,由于各種原因,脈沖會被忽略。在考慮輸出紋波電壓和EMI效應時,這一點非常重要。
2022-08-29
開關電源 脈沖 穩(wěn)壓器
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用萬用表測試LED,有哪些注意事項?
LED(發(fā)光二極管)是一種半導體二極管(一種p-n結),可在正電流從LED陽極流向陰極時發(fā)光。陽極表示為“+”,即二極管的正極。陰極表示為“-”,即二極管的負極。
2022-08-19
萬用表 測試 LED
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