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帶微處理器的繼電器將會迅速發展
隨著微型和片式化技術的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發展；現在國際上有些廠家生產的繼電器，體積只有5～10年前的1/4～1/8。因為電子整機在減小體積時，需要高度不超過其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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南方芯源推出全系列外延片快恢復二極管
南方芯源(Samwin)推出全系列外延片快恢復二極管。此系列FRED使用外延片做基片，相對于雙擴片做基片的產品，一致性更好，耐壓性能更好，產品體現出快的恢復時間，目前已在UPS及HID行業廣泛應用。
2008-09-23
外延片快恢復二極管 FRED UPS HID
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影響中國電子信息產業國際競爭力的矛盾
目前，中國電子信息產業發展中的主要矛盾依然突出，成為影響產業快速發展的絆腳石，制約了國際競爭力的進一步提升。
2008-09-22
電子信息產業
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VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC
Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關的電容器故障。
2008-09-19
VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器
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微特電機 變生產大國為技術強國
近幾年，我國微特電機行業有了長足的發展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環渤海三大地區已經形成我國微特電機的重要生產基地和出口基地。我國已經成為世界微特電機的生產大國。
2008-09-18
微特電機
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VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻
Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。
2008-09-17
電阻 VPR221Z VPR221SZ
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我國遭美"337調查" LED企業上升至10家
2008年8月30日，我國又有6家LED企業即半導體照明企業，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區企業)。
2008-09-16
知識產權 LED Rothschild 337調查
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中能打破多晶硅技術壟斷 成中國硅料第一股
紐約證券交易所前不久突然發布了一則令全球光伏行業為之震動的消息，總部位于香港的太陽能硅芯片供應商協鑫硅業(GCL)已向美國證券交易委員會(SEC)遞交了IPO 申請，而這家公司的業務主體正是江蘇中能。
2008-09-11
多晶硅
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南方芯源在西安成立研發中心西安芯派
2008年8月18日，Samwin公司投資發起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產品研發。該中心的成立將進一步提高Samwin產品的技術先進度。
2008-08-20
西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源
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