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Epson及LPI成為Akustica拓展CMOS MEMS產(chǎn)品代工及封裝伙伴
Akustica——全球最小的單芯片MEMS麥克風制造商日前宣布，Seiko Epson Corporation (Epson)與Lingsen Precision Industries, LTD (LPI)兩家公司已經(jīng)通過認證，成為代工及封裝合作伙伴。這意味著Akustica的合作版圖已經(jīng)延伸至北美，歐洲及亞洲，將快速提升產(chǎn)能滿足客戶需求。
2008-12-15
MEMS 麥克風 代工 Scott Naugle
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Epson及LPI成為Akustica拓展CMOS MEMS產(chǎn)品代工及封裝伙伴
Akustica——全球最小的單芯片MEMS麥克風制造商日前宣布，Seiko Epson Corporation (Epson)與Lingsen Precision Industries, LTD (LPI)兩家公司已經(jīng)通過認證，成為代工及封裝合作伙伴。這意味著Akustica的合作版圖已經(jīng)延伸至北美，歐洲及亞洲，將快速提升產(chǎn)能滿足客戶需求。
2008-12-15
MEMS 麥克風 代工 Scott Naugle
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Epson及LPI成為Akustica拓展CMOS MEMS產(chǎn)品代工及封裝伙伴
Akustica——全球最小的單芯片MEMS麥克風制造商日前宣布，Seiko Epson Corporation (Epson)與Lingsen Precision Industries, LTD (LPI)兩家公司已經(jīng)通過認證，成為代工及封裝合作伙伴。這意味著Akustica的合作版圖已經(jīng)延伸至北美，歐洲及亞洲，將快速提升產(chǎn)能滿足客戶需求。
2008-12-15
MEMS 麥克風 代工 Scott Naugle
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分立半導體器件 老市場 新機遇
分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個電子工業(yè)的發(fā)展，而且對發(fā)展信息技術，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術裝備水平，促進社會科技進步都有重要意義。近年來國際半導體制造業(yè)向中國大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w制造基地和繁榮的...
2008-12-15
消費電子 通信技術 汽車電子 分立器件
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分立半導體器件 老市場 新機遇
分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個電子工業(yè)的發(fā)展，而且對發(fā)展信息技術，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術裝備水平，促進社會科技進步都有重要意義。近年來國際半導體制造業(yè)向中國大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w制造基地和繁榮的...
2008-12-15
消費電子 通信技術 汽車電子 分立器件
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分立半導體器件 老市場 新機遇
分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個電子工業(yè)的發(fā)展，而且對發(fā)展信息技術，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術裝備水平，促進社會科技進步都有重要意義。近年來國際半導體制造業(yè)向中國大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w制造基地和繁榮的...
2008-12-15
消費電子 通信技術 汽車電子 分立器件
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進...
2008-12-15
SiB800EDK 便攜式電子設備 MOSFET 肖特基二極管
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進...
2008-12-15
SiB800EDK 便攜式電子設備 MOSFET 肖特基二極管
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SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件
日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動時規(guī)定的額定導通電阻的 MOSFET 進...
2008-12-15
SiB800EDK 便攜式電子設備 MOSFET 肖特基二極管
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