產(chǎn)品特性：
- 在10V和4.5V柵極驅(qū)動電壓下的最大導通電阻僅3mΩ和3.8mΩ
- 前向電壓降要遠低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降
- 肖特基二極管的反向恢復電荷(QRP)比MOSFET體二極管要低
- 可消除寄生電感
- 筆記本電腦
- 計算機和服務器等
新的Si4628DY SkyFET通常可用做同步降壓轉(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET，降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應用、圖形卡、負載點功率轉(zhuǎn)換，以及計算機和服務器當中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導通電阻與柵電荷的乘積，是這些應用的關鍵性能指標，與采用SO-8封裝的最接近器件相比，該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動下的FOM分別小26%和34%。
Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務器或電池供電的筆記本電腦在輕負載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負載條件下，功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關閉的，電流通過肖特基二極管進行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起，其前向電壓降要遠低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此，當降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時間內(nèi)被關斷時，該特性能夠大大減少功率損耗。
肖特基二極管的反向恢復電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低，因此能夠進一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的QRP比標準MOSFET體二極管減少了幾乎75%，可以提高輕負載條件下的轉(zhuǎn)換效率。
最后，將肖特基二極管集成進MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上，或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起，均會引入寄生電感。
這些特性所帶來的效率改善，能夠直接降低能量消耗，降低服務器集群等設施的電費開支，延長膝上計算機在兩次充電之間的電池壽命。
Si4628DY現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。
