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電流模式控制DC/DC轉(zhuǎn)換器中的電流檢測電路設(shè)計

發(fā)布時間:2011-10-13

中心議題:

  • 反饋控制電流源的原理
  • 電流檢測電路的具體電路設(shè)計實現(xiàn)

解決方案:

  • 電流檢測電路中的反饋網(wǎng)絡(luò)設(shè)計


電流檢測電路是電流模式控制所必需的,通過檢測功率開關(guān)管上的電流,然后輸出一個電流感應(yīng)信號與斜坡補(bǔ)償信號進(jìn)行疊加并轉(zhuǎn)換成一個電壓信號,再與誤差放大器的輸出進(jìn)行比較,從而實現(xiàn)電流模式開關(guān)轉(zhuǎn)換器電流內(nèi)環(huán)的控制。其實現(xiàn)方法有很多種,常見的有兩種,一種是與功率管串聯(lián)一個電阻Rsen,另一種是與功率管并聯(lián)一個并聯(lián)檢測管復(fù)制比例電流,并聯(lián)檢測管復(fù)制比例電流的檢測方法,又有兩種主要的實現(xiàn)結(jié)構(gòu),一種是采用運放的結(jié)構(gòu),另一種是利用反饋的方式。如果采用運放, 顯然會增加電路的復(fù)雜性,而且也會增加功耗。本文根據(jù)具有反饋控制電流源的原理來設(shè)計電流檢測電路中的反饋網(wǎng)絡(luò)。

1 反饋控制電流源的原理

電路原理圖及電流源動態(tài)特性曲線如圖1( a)、( b)所示。根據(jù)電流源的特性曲線, 偏置電路中各相關(guān)元件的電流特性只有線性與非線性電流源相結(jié)合才可能有唯一的交點(原點除外), 這樣才能保證偏置電路有唯一穩(wěn)定的工作點。


圖1 具有反饋控制的電流源的原理圖

設(shè)電阻上的壓降為VR, M3 管的過驅(qū)動電壓為△, 由M3、M4 電流相等的條件, 得到:

由此解出:

其中, VR = VGS3 - V GS4, 因此VGS的壓差決定了電阻上所形成的微電流, 即輸出電流I0 滿足的非線性關(guān)系為:

由此解出的輸出電流已與電源電壓無關(guān)。
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2 電流檢測電路的具體電路設(shè)計實現(xiàn)

根據(jù)前面的分析, 可以看出, R 固定時, 當(dāng)圖1所示的電路可以提供唯一的偏置偏流。但是在電流檢測電路中, 由于電感電流一直在變, 很顯然, 固定的電阻不再適用, 將圖1 的改進(jìn)電路運用到電流檢測電路中, 如圖2所示, 圖中電阻用工作在線性區(qū)的MOS管MR 代替。


圖2 改進(jìn)型具有反饋控制電流源的電流檢測電路

工作在線性區(qū)的MOS 管, 其導(dǎo)通電阻rON可由下式得出:

可以看出, rON與V GS - VTH成反比, 因此電阻值會隨著VGS的變化而變化, 這樣不同的電阻值形成的非線性電流源與電流鏡結(jié)合, 就會有不同的穩(wěn)定工作點。因此, 在整個工作中, 對于一直變化的電感電流, 偏置電路是通過改變電阻值而達(dá)到不同的動態(tài)穩(wěn)定狀態(tài)。

為了達(dá)到電路檢測的精確度, 本文用帶反饋控制、電阻值可變的電流源來代替復(fù)雜的運放。

圖2所示電流檢測電路中, MP、MN 為功率管,M1 與M4、M2 與M5 的W/L相同, VP 為MP 的控制信號, MPS用作開關(guān), 其W/L比較大, 具有低導(dǎo)通電阻。在電流模DC /DC 轉(zhuǎn)換器中, 反饋控制環(huán)路只需檢測MP 功率管導(dǎo)通時的電流, 因此, 為降低功耗, 可控制電流檢測電路只在MP 功率管導(dǎo)通時工作, 即只檢測電感充電階段的電流, 而在MP 功率管截止時, 電流檢測電路不工作, 進(jìn)而有效地減小了功率損耗。

當(dāng)VP 為低電平時, MP 導(dǎo)通, MPS作開關(guān)也導(dǎo)通,并且可以看作近似短路, 進(jìn)而流過MPS的電流也可以忽略, 因此MP、M1 的VDS近似相同, 流過MP 的電流被鏡像復(fù)制至M1。MP 與M1 的W/L成比例, 且比例系數(shù)較大, 因此檢測到的電流與MP 中的電流成比例, 同時遠(yuǎn)小于MP 中的電流。

下面分析VB 與VA 的關(guān)系。假設(shè)在某個時刻,VB 的電位高于VA, 則VDS4 < VDS1, M4 中的電流I4 小于M1 中的電流I1, 而VDS5 > VDS2, 要求I5 > I2, 這使得在同一支路中I4 I5, 顯然不太可能, 所以VB 會與VA 相同, 且保持相同的動態(tài)變化。因此, M1 中的電流被再次鏡像至M4, 而且, 由于反饋控制電流源的作用, VA 處的任何微小變化都會強(qiáng)迫VB 也有相同的變化, 保證了電流檢測的精度。

根據(jù)系統(tǒng)設(shè)計要求, 電流檢測的比例應(yīng)該為K = 1 000:1, 電路圖中給出了各級電流復(fù)制的比例,由于電流檢測電路采用帶反饋控制、電阻值可變的電流源結(jié)構(gòu), 可以得到VA 等于VB, 又由于設(shè)置M1,M4, 和M7 的寬長比相等, 根據(jù)MOS 電流公式可以得到:

檢測精度和速度是電流檢測電路兩個重要的指標(biāo)。由于每個檢測周期的開始階段, 電流檢測電路處于啟動狀態(tài), 所以Is 都有一段啟動時間。這個時間主要由電路中M9、M10管的寄生電容決定, 當(dāng)兩管的寬度和長度比較小時, 啟動時間很短, 相反, 啟動時間會變長。為了保證電流檢測的精度, M9、M10兩管的L 不能太小, 現(xiàn)取1 um。
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3 仿真結(jié)果

通過仔細(xì)調(diào)整MP 管和M1 管的參數(shù), 設(shè)置為MP 管的寬長比為5 000 um /1 um, M1 管的寬長比為5 um /1um。其他管子的參數(shù)參見電路圖上的比例復(fù)制標(biāo)注。通過在在Cadence軟件中的spe tre仿真設(shè)計工具下, 采用CSMC 0. 5 m CMOS工藝在25℃進(jìn)行仿真驗證。

下圖3給出電流檢測電路的仿真結(jié)果。


圖3 電流檢測電路的仿真波形

從輸出波形的測量可知, 當(dāng)電感電流IL 最大值如A 點測得的479. 55 A 時, 檢測電流Is 最大值如B點測得的486. 81 A, 基本上滿足了:

故所設(shè)計的電流檢測電路能很好滿足設(shè)計要求。

4 結(jié)論

本文設(shè)計了一種適用電流模式的DC /DC 轉(zhuǎn)換器芯片的電流檢測電路, 通過利用有反饋控制電流源的原理來設(shè)計電流檢測電路中的反饋網(wǎng)絡(luò)。通過仿真驗證可知所設(shè)計的電路性能良好, 采樣精度達(dá)到1 000:1, 完全滿足系統(tǒng)設(shè)計要求。

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