- 第二代SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS210AG/AM” VF為1.35V
- 與傳統(tǒng)產(chǎn)品VF為1.5V相比，新產(chǎn)品正向電壓降低了10％
- 太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路
羅姆株式會(huì)社面向太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器、工業(yè)設(shè)備、服務(wù)器和空調(diào)等的電源電路，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)業(yè)界最小正向電壓（VF＝1.35V）的第二代SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS210AG/AM”(600V/10A)。與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，正向電壓降低了10％，非常有助于各種設(shè)備實(shí)現(xiàn)更低功耗。
圖1：羅姆第二代SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS210AG/AM”
生產(chǎn)基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開(kāi)始出售樣品 (樣品價(jià)格500日元/個(gè))并陸續(xù)量產(chǎn)。羅姆于2010年成功實(shí)現(xiàn)了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產(chǎn)，于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產(chǎn)等等，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)在行業(yè)中遙遙領(lǐng)先。
羅姆SiC-SBD正向電壓突破1.5V門(mén)檻
與Si元件相比，電力轉(zhuǎn)換時(shí)損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實(shí)際應(yīng)用備受期待。
如今，SiC-SBD已經(jīng)逐漸在世界范圍內(nèi)廣泛量產(chǎn)，但形成通態(tài)損耗的正向電壓長(zhǎng)期維持在1.5V的狀態(tài)，市場(chǎng)上為了追求更低損耗，要求降低正向電壓。本次羅姆新推出的第二代SiC肖特基勢(shì)壘二極管正向電壓降低到了1.35V。
通常，正向電壓降低反向漏電流就會(huì)增加，羅姆通過(guò)改善工藝和元件構(gòu)造，在確保極低漏電流的基礎(chǔ)上成功降低了正向電壓。特別是正向上升電壓較低，有望改善一般使用頻率較高的低負(fù)載狀態(tài)下的效率。
新系列首先從600V-10A的產(chǎn)品開(kāi)始量產(chǎn)，今后將逐步擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。計(jì)劃在數(shù)月內(nèi)開(kāi)始1200V產(chǎn)品的量產(chǎn)。
本產(chǎn)品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源管理等最新技術(shù)的專(zhuān)業(yè)展會(huì)“PCIM-ASIA 2012”上展出，歡迎屆時(shí)蒞臨參觀(guān)。
圖2：羅姆新款SiC-SBD正向電壓從傳統(tǒng)的1.5V降為1.35V
圖3：羅姆新款SiC-SBD實(shí)現(xiàn)了更低的開(kāi)關(guān)損耗
表：羅姆第二代SiC肖特基勢(shì)壘二極管系列規(guī)格表
