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羅姆超低電壓小型肖特基勢壘二極管,月產1000萬個

發布時間:2012-11-02 責任編輯:sunnypeng

【導讀】羅姆面向智能手機等便攜設備開發出業界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管“RBE系列”, 小型封裝實現大電流化,有助于智能手機等更加節省空間。本產品已經以月產500萬個的規模開始量產,隨著客戶采用的增加,從2012年9月份開始將產能擴充為每月1000萬個。

近年來,智能手機等便攜設備的多功能化日益加速,對電池的長時間驅動需求強勁。降低耗電量成為首要課題,電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發展。為此,電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產品。但是,為了降低VF并且實現大電流化,需要增加芯片尺寸,因此很難滿足對“小型”的需求。
此次羅姆通過優化二極管的元件結構,大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產品相比,VF降低了約32%,實現了業界頂級的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向電流所產生的發熱,相同封裝也可確保大電流。
另外,由于確保了大電流,可以實現比以往封裝產品更加小型封裝的設計(在相同額定電流下相比),最大安裝面積消減了約80%。羅姆今后會不斷追求更加小型、低VF、大電流化,不斷完善滿足客戶需求的產品陣容。

此次,產品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過這些產品,將非常有助于便攜設備節省空間。

生產基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

特點
1)    小型封裝,確保大電流

業界頂級的低VF,以小型封裝可確保大電流。
 
[page]
2)    最大可節約80%的空間
確保大電流,可實現相同尺寸更加小型封裝的設計。
 

智能手機電路例
 

規格
 

術語解說
?VF ( Forward Voltage)
正向電流經過時二極管產生的電壓值。數值越小功耗越少。

?平均整流電流(Io)
指定條件下,正向流動所得到的最大平均電流

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