【導讀】Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP，電壓擴大至150V，所提供的導通電阻較上一代降低45%，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。
日前，Vishay宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET技術(shù)的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
Vishay新一代MOSFET——SiR872ADP電壓擴展至150V
SiR872ADP在10V和7.5V下導通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。器件的FOM可減低傳導和開關(guān)損耗，從而提高總的系統(tǒng)效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數(shù)量，并簡化設(shè)計。
該器件適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。在這些應用當中，SiR872ADP的導通電阻比前一代器件低45%，可降低傳導損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。
SiR872ADP進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，讓設(shè)計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能夠滿足所有功率轉(zhuǎn)換應用的需求。
SiR872ADP供貨信息：
新一代的MOSFET SiR872ADP現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大批量訂貨的供貨周期為十三周到十四周。
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