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新型絕緣結(jié)構(gòu)的電容式電壓互感器的研究

發(fā)布時間:2013-08-24 責任編輯:colin

【導讀】此電容式電壓互感器是采用了一種新型的絕緣結(jié)構(gòu),即電磁裝置為干式結(jié)構(gòu)。其防滲漏效果好,氣體年泄漏率小于0.05%,電磁單元無滲漏油的隱患,對研制GIS用電容式電壓互感器提供技術(shù)支持。
1 前言
本新型絕緣結(jié)構(gòu)的電容式電壓互感器的研究課題是廣西壯族自治區(qū)技術(shù)攻關(guān)項目,經(jīng)研究、試制,產(chǎn)品通過了廣西壯族自治區(qū)技術(shù)鑒定。
本電容式電壓互感器采用一種新型的絕緣結(jié)構(gòu),即電磁裝置為干式結(jié)構(gòu)。
具有下列技術(shù)經(jīng)濟特點:
1.1 電磁單元先經(jīng)過絕緣處理,然后充微正壓SF6氣體保護。
1.2 防滲漏效果好,氣體年泄漏率小于0.05%,產(chǎn)品使用壽命期間幾乎不用補氣。
1.3 電磁單元無滲漏油的隱患,不用化驗油樣等年檢。
1.4 由于電磁裝置充氣,可以節(jié)省油處理工藝時間,從而縮短產(chǎn)品的生產(chǎn)周期,同時改善了勞動條件。
1.5 對研制GIS用電容式電壓互感器提供技術(shù)支持。
2 研究的主要內(nèi)容
2.1 產(chǎn)品性能指標
2.1.1 產(chǎn)品主要性能指標見表1。
2.1.2 產(chǎn)品電容分壓器的tanδ≤0.10%,電容偏差不超過額定值的±5%。
2.1.3 中間電壓變壓器繞組連接組為1/1/1-12-12。
2.1.4 產(chǎn)品氣體年泄漏率應不超過0.5%。
2.1.5 產(chǎn)品其余性能按GB/T4703-2001《電容式電壓互感器》及JJG314-1994《測量用電壓互感器》相應技術(shù)要求執(zhí)行。

2.1.6 產(chǎn)品外形及結(jié)構(gòu)圖見圖1。

2.2 耐壓性能
由于電磁裝置先經(jīng)絕緣處理,即使SF6氣壓為0.1MPa的情況下亦通過了耐壓試驗,因此絕緣強度能夠達到要求。
2.3 鐵磁諧振
電容式電壓互感器的性能好壞取決于鐵磁諧振性能的優(yōu)劣,因此進行了比較詳細的研究。由于電磁裝置的絕緣強度能夠達到技術(shù)要求,在SF6氣壓為0.1~0.2MPa的情況下進行了試驗研究:阻尼器參數(shù)配合合理的情況下,在0.1MPa氣壓下可以通過鐵磁諧振試驗;阻尼器參數(shù)匹配不合理的情況下,即使諧振能夠有效抑制,由于暫態(tài)過電壓較高,在0.2MPa氣壓甚至更高的情況下,電磁單元內(nèi)部會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。
2.4 局部放電性能
局部放電性能是新型絕緣結(jié)構(gòu)的電容式電壓互感器研究的重點。SF6壓力需達到0.3MPa以上其性能方可與變壓器油相比。因此電磁裝置必須先經(jīng)過絕緣處理,并且內(nèi)部采取了均壓措施后,當SF6氣壓為0.2MPa時,電磁裝置的局部放電量為2~6pC;氣壓下降至0.12MPa時,電磁裝置的局部放電量仍為2~6pC;當SF6氣壓小于0.12MPa時,電磁裝置的局部放電量為10~50pC。
2.5 溫升
GB/T4703-2001《電容式電壓互感器》規(guī)定如下:
a)二次繞組接額定負荷和剩余電壓繞組不接負荷的情況下,施加1.2倍額定電壓連續(xù)試驗,直到溫度達到穩(wěn)定為止。各繞組的溫升應不超過60℃。
b)電磁單元在a)項1.2倍額定電壓下的溫升試驗達到穩(wěn)定狀態(tài)后,立即施加1.5倍額定電壓,歷時30s,各繞組溫升應不超過70℃。
c)在上述試驗條件下,電磁單元的鐵心及其他金屬表面、油頂層的溫升應不超過70℃。
新型絕緣結(jié)構(gòu)電磁裝置的散熱情況較油中不一樣,采用降低電流密度及加大散熱面等措施,確保產(chǎn)品的溫升不超過標準規(guī)定值。
在a)、b)、c)三種試驗條件下,試驗測試,各點溫升均不超過12℃。
2.6 氣體泄漏率
采用HL-108檢漏儀,按照GB11023-1989規(guī)定方法測試,其年泄漏率為0.05%。
2.7 準確度

準確度測試結(jié)果見表2。
3 結(jié)論
3.1 新型絕緣結(jié)構(gòu)的電容式電壓互感器的鐵磁諧振、局部放電、溫升、精確度、泄漏率等技術(shù)要求達到了相應標準或技術(shù)條件的要求。
3.2 電磁裝置經(jīng)絕緣處理后,SF6氣壓在0.12~0.2 MPa范圍內(nèi),局部放電量沒有明顯變化且小于10pC;SF6氣壓小于0.12MPa時局部放電量最大為50pC。
3.3 電磁裝置的SF6氣壓在0.1 MPa的情況下仍可滿足運行需求的絕緣性能。
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