【導讀】電子和電子設備對電網(wǎng)質(zhì)量的要求已經(jīng)提升到了一定的程度，如何得到一種穩(wěn)頻、穩(wěn)定，并且純凈不間斷的高壓電源已經(jīng)成為一種大眾的趨勢。今天讓我們了解這一相關的技術，實用易懂！
逆變電路及其控制
正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術在逆變器的控制中得到了廣泛應用，正弦脈寬調(diào)制方式很多，在此不一一描述。本電路采用的是倍頻式的調(diào)制方式，下面簡單加以介紹。
全橋逆變電路的基本結構如圖1所示。在倍頻式調(diào)制方式中，四個開關管的門極脈沖信號Vg1～Vg4的產(chǎn)生方法如圖2所示。四個開關管門極脈沖信號Vg1～Vg4與兩橋臂中點A、B間電壓VAB的波形也如圖2所示。
圖二 倍頻式調(diào)制方式SPW信號的產(chǎn)生方法
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該電路采用IGBT作為功率開關管。由于IGBT寄生電容和線路寄生電感的存在，同一橋臂的開關管在開關工作時相互會產(chǎn)生干擾，這種干擾主要體現(xiàn)在開關管門極上。以上管開通對下管門極產(chǎn)生的干擾為例，實際驅(qū)動電路及其等效電路如圖3所示。
圖三 產(chǎn)生門極干擾的實際電路及其等效電路
Rg=(RM+RS)//RP≈RS(RM < S < P)
Zg兩端相當于開路。電容Cge和Cgc都是T2的寄生電容。電感L是功率電路線路的等效寄生電感，Lg是驅(qū)動電路的線路電感。
在T1開通前，由于互補門極信號死區(qū)的存在，T1、T2均處于關斷狀態(tài)，橋臂中點電壓是高壓母線電壓VBUS的一半。當T1開通時，中點電壓立刻上升，很 高的dv/dt使L和T2的寄生電容發(fā)生振蕩，由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足夠低，在T2門極會產(chǎn)生一個電壓尖刺。這個電壓尖刺幅值隨母線 電壓VBUS和負載電流的增大而增大，可能達到足以導致T2瞬間誤導通的幅值，這時橋臂就會形成直通，造成電路燒毀。同樣地，當T2開通時，T1的門極也 會有電壓尖刺產(chǎn)生。
通過減小RS和改善電路布線可以使這個電壓尖刺有所降低，但均不能達到可靠防止橋臂直通的要求。
小編的話：怎么樣，這種小技術是不是很實用，如果我們能夠熟練的運用這一技術，相信很快一塊牛的電源就會出現(xiàn)啦！
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