技巧之一、不要使用雙極型功率器件
由于雙極型功率器件比mosFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低led驅(qū)動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅(qū)動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度上升時故障從而影響LED燈具的可靠性，正確的做法是要選用MOSFET器件，MOSFET器件的使用壽命要遠遠長于雙極型器件。
技巧之二、MOSFET的耐壓不要低于700V
耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為LED燈具的輸入電壓一般是220V,所以耐壓600V足夠了，但是很多時候電路電壓會到340V,在有浪涌的時候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實際上選用600VMOSFET可能節(jié)省了一些成本但是付出的卻是整個電路板的代價，所以盡量不要選用600V耐壓的MOSFET,最好選用耐壓超過700V的MOSFET"。
技巧之三、盡量不要使用電解電容
LED驅(qū)動電路中到底要不要使用電解電容？如今，還沒有統(tǒng)一意見。有人認為在LED驅(qū)動電路輸入部分可以考慮不用電解電容，實際上使用PI的LinkSwitch-PH就可以省去電解電容，PI的單級PFC/恒流設計可以讓設計師省去大容量電容，在輸出電路中，可以用高耐壓陶瓷電容來代替電解電容從而提升可靠性，有的人在設計兩級電路的時候，在輸出采用了一個400V的電解電容，這會嚴重影響電路的可靠性，建議采用單級電路用陶瓷電容就可以了。對于不太關(guān)注調(diào)光功能、高溫環(huán)境及需要高可靠性的工業(yè)應用來說，建議不采用電解電容進行設計。
技巧之四、盡量使用MOSFET器件
如果設計的LED燈具功率不是很高，建議使用集成了MOSFET的LED驅(qū)動器產(chǎn)品，因為這樣做的好處是集成MOSFET的導通電阻少，產(chǎn)生的熱量要比分立的少，另外，就是集成的MOSFET是控制器和FET在一起，一般都有過熱關(guān)斷功能，在MOSFET過熱時會自動關(guān)斷電路達到保護LED燈具的目的，這對LED燈具非常重要，因為LED燈具一般很小巧且難以進行空氣散熱。
技巧之五、盡量使用單級架構(gòu)電路
有些LED電路采用了兩級架構(gòu)，即"PFC（功率因數(shù)校正）+ 隔離DC/DC變換器"的架構(gòu)，這樣的設計會降低電路的效率。例如，如果PFC的效率是95%,而DC/DC部分的效率是88%,則整個電路的效率會降低到83.6%!"PI的LinkSwitch-PH器件同時將PFC/CC控制器、一個725VMOSFET和MOSFET驅(qū)動器集成到單個封裝中，將驅(qū)動電路的效率提升到87%！這樣的器件可大大簡化電路板布局設計，最多能省去傳統(tǒng)隔離反激式設計中所用的25個元件！省去的元件包括高壓大容量電解電容和光耦器。LED兩級架構(gòu)適用于必須使用第二個恒流驅(qū)動電路才能使PFC驅(qū)動LED恒流的舊式驅(qū)動器。這些設計已經(jīng)過時，不再具有成本效益，因此在大多數(shù)情況下都最好采用單級設計。
通過以上五大點，設計時嚴格把守，生產(chǎn)出來的產(chǎn)品耐用、質(zhì)量好。
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