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破解工業(yè)電池充電器難題:升壓or圖騰柱?SiC PFC拓?fù)溥x擇策略

發(fā)布時間:2025-06-19 來源:安森美 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】工業(yè)設(shè)備電動化浪潮下,電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn):需兼容120-480V寬壓輸入,在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電,同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設(shè)計,對比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶崙?zhàn)優(yōu)劣,解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。


工業(yè)設(shè)備電動化浪潮下,電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn):需兼容120-480V寬壓輸入,在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現(xiàn)高效供電,同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設(shè)計,對比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶崙?zhàn)優(yōu)劣,解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。


破解工業(yè)電池充電器難題:升壓or圖騰柱?SiC PFC拓?fù)溥x擇策略 

 

現(xiàn)代工業(yè)充電體系

 

工業(yè)電池充電器需要支持多種類型的化學(xué)電池,這是一個挑戰(zhàn)。鋰離子電池(尤其是12V-120V范圍內(nèi)的電池)已成為工業(yè)應(yīng)用的主流選擇(圖1),驅(qū)動著從手持工具到物料搬運設(shè)備的一切應(yīng)用。


破解工業(yè)電池充電器難題:升壓or圖騰柱?SiC PFC拓?fù)溥x擇策略 

圖1.鋰離子電池組的典型應(yīng)用

 

典型的工業(yè)充電器架構(gòu)包括兩個關(guān)鍵電路級:

· 功率因數(shù)校正 (PFC):該前端確保高效利用交流電源,盡量減少諧波失真,并實現(xiàn)功率輸出最大化。

· 隔離式 DC-DC 級:該級提供隔離以確保安全,并調(diào)節(jié)輸出電壓和電流,為電池精準(zhǔn)充電。


破解工業(yè)電池充電器難題:升壓or圖騰柱?SiC PFC拓?fù)溥x擇策略 

圖2.典型電池充電系統(tǒng)框圖

 

充電過程通常由微控制器管理,以適應(yīng)不同的電池特性。高頻運行是快速充電和提高能效的關(guān)鍵。SiC MOSFET非常適合這種苛刻的環(huán)境。它能以高頻運行,開關(guān)損耗極小,有助于實現(xiàn)緊湊、被動散熱式設(shè)計——這在工業(yè)環(huán)境中是一個關(guān)鍵優(yōu)勢。

 

選擇合適的拓?fù)洌篜FC級


功率因數(shù)校正(PFC)級對于高效率電源轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。如下是主要的拓?fù)溥x擇:

 

1.升壓PFC:

這種拓?fù)洌▓D3)使用廣泛,采用的元器件有EMI濾波器、橋式整流器、升壓電感器、升壓FET和升壓二極管。安森美NCP1654/NCP1655這樣的控制器通常用于管理功率因數(shù)并盡量減少總諧波失真(THD)。對于更高功率的應(yīng)用,F(xiàn)AN9672/FAN9673等控制器的交錯式PFC是更好的選擇。

 

對于升壓二極管,650V EliteSiC 二極管性能出色。SiC MOSFET 是高頻率、大功率(2kW-6.6kW)應(yīng)用的理想開關(guān)元件。針對較低功率應(yīng)用(600W-1kW),可以考慮集成GaN驅(qū)動器的NCP1681圖騰柱PFC控制器。頻率較低時(20kHz-60kHz),可以使用硅超級結(jié)MOSFET或IGBT。在較高功率水平下,一個關(guān)鍵考慮因素是盡量減少橋式整流器的損耗。為提高能效,通常采用半無橋或圖騰柱配置的有源開關(guān)(Si或SiC MOSFET)。


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圖3.升壓PFC拓?fù)?/p>


2. 圖騰柱PFC:


圖騰柱PFC拓?fù)洌▓D4)消除了傳統(tǒng)的橋式整流器,因此能效更高。它包含EMI濾波器、升壓電感器、高頻和低頻半橋、柵極驅(qū)動器以及專用圖騰柱PFC控制器(如NCP1681B)。


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圖4.圖騰柱PFC拓?fù)?/p>


圖騰柱PFC的高頻橋臂需要一個低反向恢復(fù)時間的功率開關(guān),因此SiC和GaN器件是理想選擇。安森美建議,600W至1.2kW的應(yīng)用采用集成GaN驅(qū)動器,1.5kW至6.6kW的應(yīng)用采用SiC MOSFET。集成SiC二極管的IGBT可以在較低頻率(20-40kHz)下使用。低RDS(on)硅超級結(jié)MOSFET或低VCE(SAT)IGBT 適用于低頻橋臂。

 

針對較高的功率(4.0kW-6.6kW),請考慮交錯式圖騰柱PFC配置。安森美的650V EliteSiC MOSFET,例如適合3kW應(yīng)用的NTH4L032N065M3S和NTH4L023N065M3S,以及適合6.6kW應(yīng)用的NTH4L015N065SC1或SiC共源共柵JFET(如UJ4SC075009K4S),是高頻橋臂的出色選擇。NTHL017N60S5H或SiC組合式JFET(如UG4SC075005L8S)適用于低頻橋臂。圖5提供了一個基于SiC的3kW圖騰柱PFC和LLC電源的實例。(圖5所示為基于SiC的3kW圖騰柱PFC和LLC電源示例。)


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圖5.基于SiC的3 kW 圖騰柱PFC和LLC電源

 


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