【導讀】全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發(fā)的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發(fā)售。
此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業(yè)——上海海姆希科半導體有限公司（HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.）進行量產供貨，其中以SiC MOSFET為核心的羅姆功率解決方案，為這款新型純電動汽車的續(xù)航里程和性能提供了重要保障。
羅姆目前正加速推進SiC功率元器件的研發(fā)進程，計劃于今年完成下一代（即第5代）SiC MOSFET的生產線建設，并提前布局第6代和第7代產品的市場投放規(guī)劃。
未來，羅姆將繼續(xù)致力于元器件性能和生產效率的提升，通過強化裸芯片、分立器件、功率模塊等各種形態(tài)的全方位SiC供應體系，進一步推動SiC技術的普及，為實現可持續(xù)交通貢獻力量。
關于“bZ5”
豐田與BTET、一汽豐田等企業(yè)聯合開發(fā)的跨界純電動汽車，以“Reboot”為開發(fā)理念，采用動感且具標志性的造型設計。針對Z世代年輕用戶需求，著力打造兼具個性化與舒適性的駕乘空間。續(xù)航能力方面，低配版本可達550公里，高配版本則實現了630公里（CLTC標準）的續(xù)航表現。
該車已于2025年4月22日（第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會開幕前日）開啟預訂，引發(fā)廣泛關注。
關于上海海姆希科半導體有限公司（HAIMOSIC (SHANGHAI) Co., Ltd.）
上海海姆希科半導體有限公司是由正海集團有限公司（中方）與羅姆株式會社（日方）共同成立的中日合資企業(yè)。HAIMOSIC（海姆希科）主要從事碳化硅半導體功率模塊的研發(fā)、設計、制造及銷售，預期產能36萬個/年。項目總投資額為4.5億元人民幣，注冊資金2.5億元人民幣。
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