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升降壓DC/DC TPS63810在TWS耳機(jī)里的應(yīng)用
隨著近幾年TWS耳機(jī)的爆發(fā)式增長(zhǎng)，越來(lái)越多的終端客戶對(duì)TWS耳機(jī)的體積，續(xù)航，音質(zhì)等提出了更高的要求。以下我們從續(xù)航的角度給大家推薦TI最新的解決方案。圖一是一個(gè)典型的TWS耳機(jī)電源框圖，用一顆Iq（靜態(tài)電流）低至600nA的升壓芯片TPS61099將電池電壓升到5V同時(shí)給兩個(gè)耳機(jī)端供電。耳機(jī)端電池電壓...
2020-11-05
DC/DC TPS63810 TWS耳機(jī)
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如何設(shè)計(jì)出更高能效的太陽(yáng)能、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車充電樁和服務(wù)器等應(yīng)用
太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車充電樁、儲(chǔ)能、不間斷電源(UPS)等能源基礎(chǔ)設(shè)施，工業(yè)控制、人機(jī)接口、機(jī)器視覺(jué)等自動(dòng)化控制，工業(yè)伺服、變頻驅(qū)動(dòng)、暖通空調(diào)(HVAC)等電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及機(jī)器人和電動(dòng)工具等工業(yè)細(xì)分領(lǐng)域是當(dāng)前市場(chǎng)的熱門應(yīng)用。在設(shè)計(jì)這些應(yīng)用時(shí)，工程師都要求更高能效、功率密度和可靠性。
2020-11-05
高能效 太陽(yáng)能 工業(yè)驅(qū)動(dòng) 電動(dòng)汽車充電樁
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使用超級(jí)電容儲(chǔ)能：多大才足夠大？
在電源備份或保持系統(tǒng)中，儲(chǔ)能媒介可能占總物料成本(BOM)的絕大部分，且占據(jù)大部分空間。優(yōu)化解決方案的關(guān)鍵在于仔細(xì)選擇元件，以達(dá)到所需的保持時(shí)間，但又不過(guò)度設(shè)計(jì)系統(tǒng)。也就是說(shuō)，必須計(jì)算在應(yīng)用使用壽命內(nèi)滿足保持/備份時(shí)間要求所需的儲(chǔ)能量，而不過(guò)度儲(chǔ)能。
2020-11-04
超級(jí)電容 儲(chǔ)能
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變頻器的整流單元是怎樣工作的？
我們經(jīng)常會(huì)聽到一個(gè)詞，叫做“交直交變頻器”。那么，為什么要在“變頻器”前面加上“交直交”這個(gè)定義呢？原因在于，變頻器對(duì)交流電源進(jìn)行頻率轉(zhuǎn)換的處理過(guò)程，其實(shí)是先將交流電變換成直流電，也就是“整流”，然后再將直流電變換為可變頻率的交流電的，即：“逆變”。
2020-11-04
變頻器 整流單元 工作原理
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只要簡(jiǎn)單接線配置，輕松將單級(jí)步進(jìn)電機(jī)作為雙級(jí)步進(jìn)電機(jī)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)
步進(jìn)電機(jī)有許多不同類型，但永磁體和混合步進(jìn)電機(jī)有兩種主要繞組配置，通過(guò)兩相驅(qū)動(dòng)——單極性和雙極性。單極電機(jī)的常見(jiàn)接線配置是連接到電機(jī)繞組（A +，A-，B +和B-）的六根導(dǎo)線，以及連接到電機(jī)供電電壓Vm的每相的中心抽頭，如圖1所示。
2020-11-04
接線配置 單級(jí)步進(jìn)電機(jī) 雙級(jí)步進(jìn)電機(jī) 驅(qū)動(dòng)
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變頻器的逆變單元是怎么工作的？
PWM 脈寬調(diào)制的基本原理，是對(duì)逆變電路開關(guān)器件的通斷進(jìn)行控制，使輸出端得到一系列幅值相等的脈沖，用這些脈沖來(lái)代替正弦波或所需要的波形。
2020-11-04
變頻器 逆變單元 工作
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電機(jī)原理及幾個(gè)重要公式
電機(jī)，一般指電動(dòng)機(jī)，也稱馬達(dá)，是現(xiàn)代化工業(yè)及生活中極為普遍的東西，也是將電能變?yōu)闄C(jī)械能的最主要設(shè)備。汽車、高鐵、飛機(jī)、風(fēng)機(jī)、機(jī)器人、自動(dòng)門、水泵、硬盤甚至我們最普遍擁有的手機(jī)，都安裝了電機(jī)。
2020-11-04
電機(jī)原理 公式
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管...
2020-11-03
GaN晶體管 電源性能 測(cè)試技術(shù)
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碳化硅FET推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個(gè)JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見(jiàn)圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因?yàn)閂gs隨溫度線性降低...
2020-11-03
碳化硅 FET 電力電子技術(shù)
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