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高可靠性陶瓷電容
陶瓷電容器是由印好電極（內電極）的陶瓷介質膜片以錯位的方式疊合起來，經過一次性高溫燒結形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極），從而形成一個類似獨石的結構體，故也叫獨石電容器。眾所周知，陶瓷易碎，易裂。那么如何讓陶瓷電容做到高可靠性呢？
2018-12-05
高可靠性 陶瓷電容 外部電極
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USB Type-C電源設計面臨的三大問題
USB Type-C?標準正在迅速獲得推動力，其關鍵亮點之一是可通過USB接口提供高達100瓦功率的機制。USB功率傳輸(USB-PD)功能的采用如今已成為AC適配器、筆記本電腦、平板電腦、智能手機等移動領域的主要趨勢。在下一代USB設計中實現(xiàn)電源傳輸功能時，身份驗證，過壓保護和緊湊外形是關鍵挑戰(zhàn)。
2018-12-05
USB Type-C 電源設計
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如何區(qū)分聚合物鉭電容和普通鉭電容？
鉭電容全稱是鉭電解電容（也有人叫鉭質電容器），屬于電解電容的一種，使用金屬鉭做介質，不像普通電解電容那樣使用電解液，因此適合在高溫下工作，是電容器中體積小而又能達到較大電容量的產品，在電源濾波、交流旁路等用途上少有競爭對手。
2018-11-29
聚合物鉭電容 普通鉭電容
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SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法
針對目前雜散電感提取方法存在的問題，本文提出了一種適用于SiC MOSFET換流回路雜散電感的提取方法，并基于SiC功率器件的開關瞬態(tài)特性測試平臺對本文所提雜散電感提取方法的可行性進行了驗證。與現(xiàn)有的間接測量方法不同，該方法是基于SiC MOSFET開關瞬態(tài)振蕩頻率求解換流回路雜散電感。
2018-11-29
SiC MOSFET 電感
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功率MOSFET線性區(qū)負溫度系數
功率MOSFET工作在線性區(qū)用來限制電流，VGS電壓低，通常在負溫度系數區(qū)，局部單元過熱導致其流過更大的電流，結果溫度更高，從而形成局部熱點導致器件損壞，這樣就形成一個熱電不穩(wěn)定性區(qū)域ETI (Electro Thermal Instability)，發(fā)生于VGS低于溫度系數為0（ZTC）的負溫度系數區(qū)。
2018-11-29
MOSFET 負溫度系數 電勢
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電源造成的車輛怠速啟停不穩(wěn)問題該怎么辦？
怠速啟停時的電池電壓下降引起的功能不全、怠速啟停后的電池電量波動(啟動)引起的誤動作等問題也是亟需要解決的問題。為此，羅姆開發(fā)出了優(yōu)異的低消耗電流和穩(wěn)定性能(瞬態(tài)響應特性，以下簡稱“響應性能”)的升降壓電源芯片組。
2018-11-28
電源 怠速啟停
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熟知引起電源模塊發(fā)熱的四大原因
一摸電源模塊的表面，熱乎乎的，模塊壞了？且慢，有一點發(fā)熱，僅僅只是因為它正努力地工作著。但高溫對電源模塊的可靠性影響極其大！基于電源模塊熱設計的知識，這一次，我們扒一扒引起電源模塊發(fā)熱的原因。
2018-11-28
電源模塊 電源發(fā)熱
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功率MOSFET線性區(qū)工作設計
功率MOSFET有三個工作狀態(tài)，在漏極導通特性曲線上，對應的是三個工作區(qū)：截止區(qū)，線性區(qū)和可變電阻區(qū)。注意到：MOSFET的線性區(qū)有時也稱為：恒流區(qū)或飽和區(qū)。
2018-11-28
MOSFET 開關電源
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分享30條開關電源工作小技巧
電源開發(fā)是個技術活，也是個累活，工作繁雜時難免會犯一些低級小錯誤。這些錯誤，會導致一系列的連鎖反應，需要采購部、生產部、PM、品管部、業(yè)務部、工程部等眾多部門來配合，以修正你的那個小錯誤。
2018-11-27
開關電源 變壓器 電阻器
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