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如何通過優化模塊布局解決芯片縮小帶來的電氣性能挑戰
在本文的第一部分——《如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰》，我們提到尺寸和功率往往看起來像硬幣的兩面。當你縮小尺寸時，你不可避免地會降低功率。在那篇文章中，我們介紹了芯片縮小對熱性能的影響，以及如何通過優化芯片位置和模塊布局來減輕這種影響。現在，讓我們來看看...
2023-04-10
模塊布局 芯片 電氣性能
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RS-485基礎知識：何時需要端接，以及如何正確端接
RS-485 網絡的許多信號完整性和通信問題都源于端接，這可能是因為缺少端接或端接不正確。在 RS-485 基礎知識系列的這一部分，我將討論何時不需要端接 RS-485 網絡，以及在需要端接時如何使用標準（并聯）端接和交流電 (AC) 端接網絡。
2023-04-07
RS-485 端接
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不勞開發固件了！用這個控制器可實現USB-C PD 3.0 PPS
更大的顯示屏、更強的性能和更高的數據吞吐量是 5G 智能手機的發展趨勢，它推動了對更大電池容量和快速充電能力的需求。如何突破傳統的充電方式是設計者面臨的挑戰，因為傳統充電方式效率低下，而消費者對快速充電的期望又越來越高，所以在滿足這一需求的功率水平下就可能會導致發熱過度。
2023-04-07
控制器 USB-C PD 智能手機
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如何通過改進IGBT模塊布局來克服芯片縮小帶來的熱性能挑戰
尺寸和功率往往看起來像是硬幣的兩面。當你縮小尺寸時--這是我們行業中不斷強調的目標之一--你不可避免地會降低功率。但情況一定是這樣嗎？如果將我們的思維從芯片轉移到模塊設計上，就不需要拋硬幣了。
2023-04-06
IGBT模塊 布局 芯片
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低成本無刷直流電機控制MCU
電機對能耗的貢獻率在美國接近50%，因此降低電機能耗能有效地提高能源利用率，而采用先進的微控制器（MCU）技術來實現電機控制是一種有效的方法。本文介紹了的電機控制MCU技術發展及其應用。
2023-04-04
無刷直流電機 電機控制 MCU
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并聯穩壓器緩解電源啟動問題
電阻器 R一個 通過 RD、并聯穩壓器 IC1，二極管 D1和晶體管 Q1 構成低負載串聯通調節偏置電源。選擇這些元件以產生 Q 的電壓1 落在 IC 之間的發射器1的關斷電壓和整流輔助偏置繞組輸出產生的標稱電壓 VAUX_NOM.實際上，IC上的電壓1的 V抄送 引腳以有線或方式跟隨，以較高者為準：VAUX_NOM 或晶體管Q...
2023-04-04
并聯穩壓器 電源啟動
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阻抗頻率特性與敲擊信號
在昨天，通過掃頻的方法分別測量了兩個動圈式揚聲器在不同頻率下的阻抗。?兩個揚聲器中小型揚聲器， 直流阻抗為4歐姆。?另外一個是大型低頻揚聲器，直流電阻為8歐姆。?前天，通過施加階躍電壓測量了揚聲器單位沖激響應信號。?通常情況下， 揚聲器可以看成一個近似線性時不變系統。?它的單位沖激響應...
2023-04-04
阻抗 頻率特性 敲擊信號
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詳解高效散熱的MOSFET頂部散熱封裝
電源應用中的 MOSFET 大多是表面貼裝器件 (SMD)，包括 SO8FL、u8FL 和 LFPAK 等封裝。通常選擇這些 SMD 的原因是它們具有良好的功率能力，同時尺寸較小，從而有助于實現更緊湊的解決方案。盡管這些器件具有良好的功率能力，但有時散熱效果并不理想。
2023-04-03
MOSFET 散熱 封裝
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基于碳化硅的25kW電動汽車直流快充開發指南-結構和規格
隨著消費者對電動汽車 (EV) 的需求和訴求持續增強，直流快速充電市場在蓬勃發展，市場對快速充電基礎設施的需求也在增加。預測未來五年的年復合增長率 (CAGR) 為20%至30%。如果您是在電力電子領域工作的一名應用、產品或設計工程師，遲早會參與到這新的充電系統的設計中。
2023-04-03
SiC 電動汽車 直流快充
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