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基于聲表面波的某無線遠(yuǎn)距識別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
介紹了一種基于聲表面波器件的無線遠(yuǎn)距識別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。對聲表面波技術(shù)及聲表面波傳感器作了簡要的介紹，針對某無線遠(yuǎn)距識別系統(tǒng)作了詳細(xì)的分析，并給出了測試結(jié)果。
2008-10-13
聲表面波 擴(kuò)展器 壓縮器 線性調(diào)頻
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基于SAW技術(shù)的車輛自動(dòng)識別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)
介紹了基于SAW器件的無線識別技術(shù)的原理,詳細(xì)闡述了一種采用SAW(聲表面波)技術(shù)的高速運(yùn)動(dòng)車輛自動(dòng)識別系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)。
2008-10-13
SAW技術(shù) 自動(dòng)識別 超外差接收
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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計(jì)
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計(jì)出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達(dá)1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實(shí)用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
MOS場效應(yīng)管 AB類功率放大 推挽 傳輸線變壓器 寬頻帶
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超高頻無源RFID標(biāo)簽的一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)
本文針對超高頻無源RFID 標(biāo)簽芯片的設(shè)計(jì)，給出了一些關(guān)鍵電路的設(shè)計(jì)考慮。文章介紹了四種電源恢復(fù)電路結(jié)構(gòu)，以及倍壓電路的解決方案，提出了串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種穩(wěn)壓電路。文章提出了新的泄流源的設(shè)計(jì)，介紹了啟動(dòng)信號產(chǎn)生電路的設(shè)計(jì)考慮。
2008-10-13
RFID 標(biāo)簽 恢復(fù) 穩(wěn)壓 調(diào)制 解調(diào)
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W波段雪崩管窄脈沖調(diào)制器的研究
脈沖調(diào)制器是脈沖體制發(fā)射機(jī)中重要的組成部分。設(shè)計(jì)了一種體積小、脈沖驅(qū)動(dòng)電流大的窄脈沖調(diào)制器，可用于驅(qū)動(dòng)W波段主被動(dòng)復(fù)合探測器中的雪崩二極管振蕩器，對脈沖體制的毫米波雷達(dá)等的發(fā)射機(jī)也有重要應(yīng)用意義。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該調(diào)制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二極管 脈沖調(diào)制器 電路設(shè)計(jì)
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RFID 技術(shù)原理及其射頻天線設(shè)計(jì)
首先簡要介紹RFID 技術(shù)的基本工作原理,然后介紹了幾種基本的RFID 射頻天線及其工作原理,并針對普遍使用的偶極子天線在RFID 系統(tǒng)中方向性上的不足提出改進(jìn),最后,給出一個(gè)具有全向收發(fā)功能的RFID 天線設(shè)計(jì).
2008-10-12
RFID 技術(shù) 天線 偶極子
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1.9GHz基站前端射頻LNA仿真與實(shí)現(xiàn)研究
本文給出了基于E-pHEMT管ATF-54143和混合耦合器2A1306-3的射頻低噪聲放大器的設(shè)計(jì)。E-pHEMT管的低噪聲系數(shù)和高OIP3使它在高動(dòng)態(tài)范圍電路設(shè)計(jì)上具有很大的優(yōu)勢,并且該放大器的技術(shù)指標(biāo)達(dá)到了CDMA基站的接收前端對低噪聲放大器的規(guī)范要求,具有很好的應(yīng)用前景。
2008-10-12
截點(diǎn) E-pHEMT 平衡結(jié)構(gòu) LNA 仿真
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阻抗匹配
本文詳細(xì)討論了傳輸線的阻抗匹配問題。重點(diǎn)介紹了串聯(lián)終端匹配和并聯(lián)終端匹配，提出將訊號的傳輸看成軟管送水澆花和傳輸線之終端控管技術(shù)。
2008-10-12
傳輸線 阻抗匹配 訊號 特性阻抗
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計(jì)出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計(jì)了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點(diǎn)提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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