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熱烈祝賀 Andrew MENG 晉升為 ASEAN（東盟）市場經理！
我們非常高興地宣布，Micro Crystal 瑞士微晶中國臺灣銷售與市場經理 Andrew MENG 榮升為 ASEAN（以下簡稱為東盟）市場經理！這一重要晉升不僅是對 Andrew 在職業生涯中卓越表現的高度認可，也是 Micro Crystal 瑞士微晶全力布局東盟市場的重要一步。
2024-12-26
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-25
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貿澤電子持續擴充工業自動化產品陣容
專注于引入新品的全球電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 持續擴充其來自業界知名制造商和解決方案供應商的工業自動化產品陣容，幫助客戶奠定工業5.0發展的基礎。
2024-12-25
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第12講：三菱電機高壓SiC芯片技術
三菱電機開發了高耐壓SiC MOSFET，并將其產品化，率先將其應用于驅動鐵路車輛的變流器中，是一家在市場上擁有良好業績記錄的SiC器件制造商。本篇帶你了解三菱電機高壓SiC芯片技術。
2024-12-22
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芝識課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項】—深入電子設計，需要這份指南（一）
當今的電子設計領域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應用。然而，要充分發揮CMOS邏輯IC的性能優勢，確保系統的穩定可靠運行，必須嚴格遵守一系列使用注意事項。從本期芝識課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細的設計指南，幫助大家更好地避免潛在的設計陷阱和故障。
2024-12-13
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第11講：三菱電機工業SiC芯片技術
1200V級SiC MOSFET是一種能充分發揮SiC優勢的器件，廣泛應用于工業、汽車等領域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產品，本文主要介紹三菱電機1200V級SiC MOSFET的技術開發概要。
2024-12-12
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如何選擇有效的ESD保護二極管
ESD 保護器件的目的是將數千伏的 ESD 輸入降低至受保護 IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護 IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設計對 ESD 更加穩健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級要求的任何保護二極管就足夠了。
2024-12-12
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意法半導體和ENGIE在馬來西亞簽訂可再生能源發電供電長期協議
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于11月7日宣布與BKH Solar Sdn Bhd太陽能發電公司簽訂為期21年的購電協議(PPA)。BKH Solar Sdn Bhd是全球著名的低碳能源服務公司ENGIE Renewable SEA Pte Ltd (ENGIE) 和馬來西亞迅速崛起的太陽能開發商Conextone energy Sdn Bhd的合資公司。
2024-12-10
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安森美斥資1.15億美元收購碳化硅JFET技術，強化AI數據中心電源產品組合
安森美（onsemi，納斯達克股票代碼：ON）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。
2024-12-10
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授權代理商貿澤電子供應Same Sky多樣化電子元器件
貿澤電子 (Mouser Electronics) 是Same Sky（原CUI Devices）電子元器件和創新解決方案的全球授權代理商。Same Sky是全球知名的互連、音頻、熱管理、運動、繼電器、傳感器和開關解決方案制造商。貿澤有9500多種Same Sky創新產品開放訂購，其中5500多種有現貨庫存。
2024-12-10
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貿澤電子攜手安森美和Würth Elektronik推出新一代太陽能和儲能解決方案
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 攜手安森美 (onsemi) 和 Würth Elektronik為持續增長的太陽能逆變器市場提供豐富的解決方案。
2024-12-09
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態熱測量
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-09
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