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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-12-06
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雷諾旗下安培與意法半導體簽署碳化硅長期供應協議，合作開發電動汽車電源控制系統
雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰略合作行動，雷諾集團與意法半導體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協議，該協議是雷諾集團與意法半導體為安培超高效電動汽車逆變器開發電源控制系統 (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統的關鍵元件，安培和意法半導體合作優化功率模塊，確保電驅系統具有很強的性能和競爭力，同時充分發揮安培在電動汽車技術方面的特長和意法半導體在先進功率元器件研制領域的獨到之處。
2024-12-05
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面對電動汽車和數據中心兩大主力應用市場，SiC和GaN該如何發力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用，特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。
2024-12-04
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貿澤電子與Analog Devices和Bourns聯手發布全新電子書
貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續性方面的優勢，以及發揮這些優勢所面臨的挑戰。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
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開拓創新，引領醫療植入物與醫療保健解決方案的發展潮流
憑借超過40年的專業經驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產的組件能夠滿足苛刻的醫療應用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
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貿澤電子深入探討以人為本的工業5.0新變革
貿澤電子 (Mouser Electronics) 發布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術系列，重點介紹新興的工業5.0格局。在這個工業化的新階段，人類、環境和社會等因素都將作為重要的方面，體現在未來工廠車間的先進技術、機器人和智能機器中。
2024-11-28
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創實技術electronica 2024首秀：加速國內分銷商海外拓展之路
作為全球規模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術的基石，正再一次引領全球半導體產業的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經濟大變局，展示面積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來自超50個國家和地區的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規模之最。
2024-11-26
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功率器件熱設計基礎（三）——功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-25
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意法半導體披露 2027-2028 年財務模型及2030年目標實現路徑
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰略保持不變的框架內，意法半導體重申了200億+美元的營收目標和相關財務模型，預計將在 2030 年實現這一目標。意法半導體還制定了一個中期財務模型，預計2027-2028年營收約為180 億美元，營業利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術的飛速發展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環境下穩定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率器件的性能和壽命，成為了行業發展的關鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法
功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。
2024-11-23
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