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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性
關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。
2021-10-17
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讓我們看看升壓型穩壓器是如何造就兼具升壓和降壓能力的扁平狀SEPIC的？
汽車、分布式電源和電池供電型應用的工作電壓常常取自一個寬的可變總線電壓。工作電壓經常位于總線電壓范圍中間的某個數值上，例如汽車工作電壓為12V，總線電壓為4V至18V。這些應用需要采用一個能夠根據總線電壓進行升壓或降壓操作的DC/DC轉換器。
2021-10-13
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如何實現伽馬光子輻射檢測器的設計
這篇文章主要討論了實現伽馬光子輻射檢測器的設計注意事項，原理圖和組件選擇。該設計由一個PIN光電二極管，四個低噪聲運算放大器和一個比較器組成，該比較器能夠檢測伽馬輻射的各個光子。
2021-09-12
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
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Digi-Key開售Red Pitaya的@HOME套件，將實驗室練習帶到遠程或居家環境中
Digi-Key Electronics 擁有全球品類極為豐富并且能夠立即發貨的現貨庫存電子元件，日前宣布已與 Red Pitaya 公司建立全球分銷合作伙伴關系，將分銷其 @HOME 套件。該套件提供了多功能性和便攜性，可以將實驗室練習帶到遠程或居家環境中，是遠距離或者居家工作的教授和學生們的理想選擇。
2021-09-02
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發布了重大技術架構的改變和創新
在 2021 年英特爾架構日上，英特爾公司高級副總裁兼加速計算系統和圖形事業部總經理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構師，全面介紹了兩種全新 x86 內核架構的詳情；英特爾首個性能混合架構，代號“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調度器；專為數據中心設計的下一代英特爾? 至強? 可擴展處理器 Sapphire Rapids；基礎設施處理器（IPU）；即將推出的顯卡架構，包括 Xe HPG 微架構和 Xe HPC 微架構，以及 Alchemist SoC, Ponte Vecchio SoC。
2021-08-22
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固定增益雙端口G類差分放大器設計
ISL1561是固定增益雙端口G類差分放大器設計，與AB類放大器相比，可在降低功耗的情況下驅動ADSL2 +和VDSL2。線路驅動器采用+ 12V至+ 14V單電源供電，并且在檢測到升壓時會產生較高的電源電壓。靜態電流可以通過3引腳串行端口接口（SPI）用12位命令進行編程。
2021-08-17
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齊納、PIN、肖特基和變容二極管的基礎知識及其應用
雖然傳統的硅二極管或鍺二極管在大多數電子應用中可以很好地作為整流器和開關元件使用，但它們不具備電子微調、電子衰減、低損耗整流、基準電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來完成這些任務。這些方法現在已經讓位于更精巧的特殊用途二極管，包括變容二極管、PIN 二極管、肖特基二極管和齊納二極管。
2021-08-16
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智能車單片機的分段PID控制
自動尋跡智能車涉及到當前高技術領域內的許多先進技術，其中 主要的是傳感技術、路徑規劃和運動控制。本課題是以飛思卡爾智能車競賽為背景，以單片機作為 控制單元，以攝像頭作為路徑識別傳感器，以直流電機作為小車的驅動裝置，以舵機控制小車轉向。
2021-08-09
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兼容SPICE的運算放大器宏模型
目前，電路仿真領域呈現采用全方位電路仿真方法的趨勢。我們認為，在所有安裝的電路仿真器中，有75%用于系統設計，而不是IC設計。幾乎所有這些仿真器都是SPICE的變體。隨著電子行業不斷發展，系統工程師面對日益增多的集成電路，尤其是無處不在的運算放大器，也需要愈加精準的模型。但是，這些IC器件的速度和復雜性不斷提高，給初期的SPICE開發人員帶來了始料未及的問題。
2021-08-02
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如何選擇升壓調節器/控制器IC并使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調節器選擇IC的過程與降壓調節器不同，主要區別在于所需輸出電流與調節器IC數據手冊規格之間的關系。在降壓拓撲中，平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣，它需要基于開關電流進行計算。本文介紹了升壓調節器IC（帶內部MOSFET）或控制器IC（帶外部MOSFET）的選擇標準，以及如何使用LTspice?選擇合適的外圍組件以構建完整的升壓功率級。
2021-08-01
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PIN二極管參數和結構原理
一般的二極管是由N型雜質摻雜的半導體材料和P型雜質摻雜的半導體材料直接構成形成PN結。而PIN二極管是在P型半導體材料和N型半導體材料之間加一薄層低摻雜的本征（Intrinsic）半導體層。
2021-06-14
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