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VLMx51系列：Vishay推出小尺寸PLCC2 Plus封裝SMD LED用于照明
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小尺寸PLCC2 Plus封裝的紅色、琥珀色、黃色和白色功率SMD LED。VLMx51系列具有高光通量和非常低的結至環境熱阻，可用于各種照明應用。
2010-10-29
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2010年第3季度太陽能電池產能增加1GW以上
2010年第三季度，太陽能電池的產能增加部分首次突破了1GW大關，達到1.12GW。據美國Solarbuzz的 “PVEquipmentQuarterly"報告顯示，產能增加部分中約80％是由中國大陸及臺灣廠商實現的。估計2010年第四季度產能還會繼續增加，因第四季度似將有約相當于1.3GW產能的生產線建成。
2010-10-29
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RS Components與快達簽署全球分銷協議
國際著名電子、電機和工業產品分銷商RS Components于近日宣布，與定制型傳感器技術（Custom Sensors & Technologies - CST）品牌旗下的世界領先固態繼電器制造商快達（Crydom）公司簽署最新分銷協議。RS成為快達在亞太地區的首家戰略合作伙伴。
2010-10-28
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UMZ 250：SCHURTER擴大SMD保險絲額定電流范圍適用于電路保護
SCHURTER擴大了250 VAC、IEC時間滯后小型SMD保險絲UMZ 250的額定電流。這款帶有接線柱的SMD保險絲現在可有從80 mA到4 A的18種不同額定電流。這是范圍從0.08A 到0.25A的6種額定電流選擇的一種擴展。
2010-10-28
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IR 拓展 DirectFET?2 功率 MOSFET 系列適用于重負載應用
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布拓展了車用DirectFET?2功率MOSFET系列。該系列具有非常出色的功率密度、雙面冷卻功能以及最小寄生電感和電阻，適用于重負載應用，包括電動助力轉向系統、電源、混合動力汽車的電池開關、微型混合動力汽車的集成起動發電機系統等。
2010-10-28
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三季度全球智能手機銷量同比大增78%
市場研究公司Strategy Analytics 21日表示，第三季度全球智能手機銷量較上年同期大幅增長，iPhone制造商蘋果公司(Apple Inc.)超越黑莓制造商Research in Motion Ltd.(RIM)，占據銷量排行榜亞軍寶座。
2010-10-28
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FMBB NEO 系列：SCHURTER推出二階電磁干擾濾波器適合工業運用
SCHURTER 最新推出的FMBB NEO系列單相精良高質量二階電磁干擾濾波器 ,有三種特殊參數選擇，更明確有效地解決電磁干擾問題。
2010-10-26
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百佳泰深圳實驗室采用泰克SATA-Gen 3和HDMI1.4a全套方案
全球示波器市場的領導廠商---泰克公司日前宣布，百佳泰（Allion Test Lab, Inc）于近日成立的深圳實驗室采用一整套泰克儀器，為包括SATA-Gen 3、HDMI1.4a、USB2.0/3.0及DisplayPort在內的高速串行技術標準提供測試認證。
2010-10-25
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電子元件生產技術改進 PC成本驟降
根據調查公司CONtext的調研數據來看，從九月開始電腦內存和硬件產品已經連續三個月下降，今年六月份是價格達到頂峰的時期。據國外媒體報道，根據近日發布的數據顯示，盡管重要的PC元件已經有很大的成本下降，但是PC的價格仍然是沒有多大變化。
2010-10-22
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WSLP0603：Vishay推出0603封裝的檢流電阻用于DC-DC轉換器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip?電阻 --- WSLP0603，該電阻是業界首款采用緊湊0603封裝尺寸的0.4W檢流電阻。WSLP0603電阻的阻值范圍非常低，只有10m?～100m?，可在+170℃的高溫下工作。
2010-10-21
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TDK開發新傳感器可同時測量轉向角與轉向扭矩
TDK開發出了可用于汽車動力方向盤（Power Steering）等，可同時測量轉向角與轉向扭矩的傳感器，并在“CEATEC JAPAN 2010”上展出。TDK介紹，盡管該公司此前也開發并在展會上展出過采用“SV-GMR”技術的轉向角傳感器等，但展出同時測量轉向角和轉向扭矩的傳感器“還為首次”。
2010-10-21
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Vishay Siliconix 推出新款N溝道功率MOSFET用于開放式電源
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新型500V、16A的N溝道功率MOSFET --- SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nC，采用TO-220AB、TO-220 FULLPAK、D2PAK和TO-247AC封裝。
2010-10-20
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