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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小導(dǎo)通電阻的雙P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET?功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導(dǎo)通電阻是目前所有雙P溝道器件當(dāng)中最小的，所采用的熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。
2009-05-01
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IHLW-4040CF-11：Vishay發(fā)布業(yè)界首款翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款翼式且采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器 --- IHLW-4040CF-11。IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設(shè)計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設(shè)計人員提供大電流解決方案，而其在電路兩板側(cè)的厚度不超過1.2mm。
2009-05-01
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VSMB20x0X01/VEMT20x0X01：Vishay最新PIN光電二極管三極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出了通過AEC-Q101認(rèn)證的VSMB20x0X01 PIN光電二極管和VEMT20x0X01光電三極管，擴(kuò)充了其光電產(chǎn)品目錄。這些光探測器的工作溫度為-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面貼裝封裝。 此次發(fā)布的器件對旋轉(zhuǎn)編碼器、位置傳感器、適用于高亮度或日光抑制的紅外探測器、車用雨量傳感器，以及車庫開門器和電動轉(zhuǎn)門上的光幕和擋光板等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2009-04-22
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IHLW-4040CF-11:Vishay首款翼式低厚度4040尺寸的電感器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出業(yè)界首款翼式采用4040封裝尺寸的超薄、大電流電感器。 IHLW-4040CF-11是為安裝在分離(cut-out)PCB上而設(shè)計的，透過使用較大尺寸的部件，可為設(shè)計人員提供大電流解決方案，但在電路兩板側(cè)的厚度不超過1.2mm。
2009-04-21
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MSS1P2U和MSS1P3U:Vishay推出具有超低前向壓降的小型肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology宣布，推出兩款新型肖特基整流器 --- MSS1P2U和MSS1P3U，在+85℃和+25℃時的前向壓降分別只有0.35V和0.4V。器件采用小型MicroSMP功率封裝，額定電壓分別為20V(MSS1P2U)和30V(MSS1P3U)，輸出電流為1A，Vishay此次推出的新型器件的高電流功率密度和低熱阻有助于實現(xiàn)節(jié)省空間的設(shè)計。
2009-04-17
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TEMD5080X01：Vishay新款高速光電二極管
日前，Vishay發(fā)布了其新款高速光電檢測器 --- TEMD5080X01，繼續(xù)擴(kuò)展其光電產(chǎn)品線。TEMD5080X01是PIN型光電二極管，與標(biāo)準(zhǔn)PIN光電二極管芯片相比，TEMD5080X01對400nm紫外線的檢測靈敏度提高了300%，因此可廣泛用于工業(yè)和消費類系統(tǒng)。
2009-04-09
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981 HE：Vishay新型空心軸及D軸節(jié)氣閥位置傳感器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE 股市代號：VSH）宣布推出新型空心軸及D軸節(jié)氣閥位置傳感器，該傳感器采用霍爾效應(yīng)技術(shù)，可適應(yīng)惡劣環(huán)境中的應(yīng)用。
2009-03-31
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IHLP-6767GZ-01：Vishay新型IHLP薄型大電流電感器
Vishay 日前宣布推出采用 6767 封裝尺寸的新型 IHLP? 薄型大電流電感器 --- IHLP-6767GZ-01
2009-03-30
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Vishay 推出面向AMS 應(yīng)用的超高精度表面貼裝箔電阻
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其面向航空、軍事和航天應(yīng)用的超高精度、卷繞表面貼裝 Bulk Metal Z 箔（BMZF）電阻新系列目前已可提供，該系列已根據(jù) EEE-INST-002、DSCC 和 EPPL 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行生產(chǎn)后篩選。
2009-03-26
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
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VFCD1505：Vishay增強(qiáng)版表面貼裝倒裝芯片分壓器
日前，Vishay宣布，公司已增強(qiáng)VFCD1505分壓器的功能，器件具有小于 1 秒的幾乎瞬時熱穩(wěn)定時間。當(dāng)溫度范圍在 0°C 至 +60°C 和 ?55°C 至 +125°C（參考溫度為 +25°C）時，該器件具有 ±0.05 ppm/°C 和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對 TCR，在額定功率時具有 ±5 ppm 的出色 TCR 跟蹤（“自身散熱產(chǎn)生的 ?R”）及 ±0.005% (50 ppm) 的負(fù)載壽命穩(wěn)定率。
2009-03-10
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VSMP0603:Vishay 超高精度Z 箔卷繞表面貼裝電阻
Vishay Intertechnology, Inc.推出經(jīng)改進(jìn)的VSMP0603 超高精度 Bulk Metal? Z 箔 (BMZF) 卷繞表面貼裝電阻
2009-03-03
- 聚合物電容全景解析：從納米結(jié)構(gòu)到千億市場的國產(chǎn)突圍戰(zhàn)
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