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Si7615DN：Vishay 新型第三代20V P通道功率MOSFET
Vishay Siliconix發(fā)布具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的新型第三代20V P通道TrenchFET?功率MOSFET
2009-05-14
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汽車(chē)電子系統(tǒng)：身處艱難時(shí)期，但未來(lái)前景看好
Strategy Analytics發(fā)布最新汽車(chē)電子研究報(bào)告“汽車(chē)電子系統(tǒng)需求預(yù)測(cè)2007-2016：身處艱難時(shí)期，但未來(lái)前景看好”；分析認(rèn)為受目前慘淡的汽車(chē)銷(xiāo)售行情影響，汽車(chē)電子市場(chǎng)要到2011年才有可能超越2007年的最高值。
2009-05-13
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韓國(guó)手機(jī)市場(chǎng)極具投資吸引力
Strategy Analytics無(wú)線終端戰(zhàn)略服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告指出，由于韓國(guó)技術(shù)和管制政策的放寬，使得更多的海外品牌廠商可以進(jìn)入當(dāng)?shù)厥謾C(jī)市場(chǎng)。各大智能手機(jī)廠商，如諾基亞和黑莓，正在積極備戰(zhàn)，欲從韓國(guó)本土領(lǐng)先者三星、LG和泛泰手中奪取市場(chǎng)份額。
2009-05-12
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2009年Q1全球手機(jī)出貨量有史以來(lái)最大幅下滑
近日，Strategy Analytics發(fā)布最新研究報(bào)告“2009年一季度全球手機(jī)市場(chǎng)份額更新”。該報(bào)告結(jié)果顯示，2009年一季度全球手機(jī)出貨量?jī)H為2億4500萬(wàn)部，相比2008年一季度2億8200萬(wàn)部手機(jī)出貨量，下滑13%，出現(xiàn)手機(jī)行業(yè)27年來(lái)的最大下滑幅度。零售商出于謹(jǐn)慎考慮以消化庫(kù)存為主，以及全球經(jīng)濟(jì)低迷是導(dǎo)致全球手機(jī)出貨量下降的主要原因。
2009-05-06
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2009~2010年平板電視最新產(chǎn)業(yè)10大趨勢(shì)
在2009~2010年，平板電視產(chǎn)業(yè)將會(huì)出現(xiàn)什么樣的走勢(shì)和新變化呢？由美國(guó)《TWICE》中文版，《TWICE中國(guó)》聯(lián)合《TWICE中國(guó)》專(zhuān)家顧問(wèn)委員會(huì)傾力推出了“2009~2010年平板電視最新產(chǎn)業(yè)10大趨勢(shì)”。
2009-05-06
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NCP362：安森美半導(dǎo)體推出用于USB2.0的過(guò)壓保護(hù)器件
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出業(yè)界首款帶集成電流保護(hù)和高速靜電放電(ESD)保護(hù)的過(guò)壓保護(hù)(OVP)器件——NCP362，用于便攜、電信、消費(fèi)和計(jì)算系統(tǒng)中的USB 2.0應(yīng)用。
2009-05-05
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Mouser對(duì)Tyco Electronics的授權(quán)分銷(xiāo)拓展至全球
Mouser Electronics，日前宣布，Mouser 對(duì)Tyco Electronics的授權(quán)分銷(xiāo)拓展至全球范圍。
2009-05-04
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諾基亞Q1業(yè)績(jī)不佳 慘遭穆迪降級(jí)
穆迪投資者服務(wù)公司（Moody''''''''s Investors Service）日前將諾基亞的評(píng)級(jí)從原先的“A1”調(diào)降為“負(fù)面”。這一變化的原因在于諾基亞今年第一季度的業(yè)績(jī)不佳，其手機(jī)銷(xiāo)售量下降率突破了兩位數(shù)，收入也比去年同期減少了三分之一，同時(shí)，其合資企業(yè)諾基亞西門(mén)子網(wǎng)絡(luò)公司也承受著巨大的增收壓力。
2009-05-04
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FAN7621：飛兆新款諧振控制器簡(jiǎn)化最高達(dá)600W功率設(shè)計(jì)
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為 LCD 和 PDP TV、服務(wù)器、游戲控制臺(tái)和 LED 照明應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)全新產(chǎn)品FAN7621。這款諧振控制器能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，降低材料清單成本并提供先進(jìn)的保護(hù)功能。
2009-05-04
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小導(dǎo)通電阻的雙P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有兩個(gè)20V P溝道的第三代TrenchFET?功率MOSFET --- SiA921EDJ，其導(dǎo)通電阻是目前所有雙P溝道器件當(dāng)中最小的，所采用的熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的占位面積只有2mmx2mm。
2009-05-01
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Mouser獲Emerson Network Power連接解決方案最佳分銷(xiāo)商獎(jiǎng)
Mouser Electronics宣布，Mouser榮獲Emerson Network Power 2008年連接解決方案最佳分銷(xiāo)商獎(jiǎng)。Emerson是嵌入式無(wú)線電通信和數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)架構(gòu)的業(yè)界領(lǐng)先者。Emerson知名品牌Johnson和Aim-Cambridge向Mouser提供產(chǎn)品，產(chǎn)品涉及RF和音頻/視頻連接器、線纜組件和適配器。
2009-04-27
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FDMA6023PZT：飛兆最低RDS(ON) 的20V MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的嚴(yán)苛要求，采用延長(zhǎng)電池壽命的技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更薄、更小的應(yīng)用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導(dǎo)損耗。該器件采用飛兆半導(dǎo)體性能先進(jìn)的PowerTrench? MOSFET工藝技術(shù)，獲得極低的RDS(ON) 值、柵級(jí)電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導(dǎo)損耗和提升開(kāi)關(guān)性能。
2009-04-27
- 高性能差分信號(hào)路由：CBMG709在工業(yè)控制系統(tǒng)中的關(guān)鍵作用
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