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從單點突破到系統進化：TDK解碼傳感器融合的AI賦能密碼
TDK在深圳國際傳感器展（SENSOR SHENZHEN 2025）上，圍繞汽車、工業與ICT領域，集中展示多傳感器融合創新方案及AI技術應用路徑，既突顯其傳感技術硬實力，也揭示了"感知+AI"驅動的產業升級新范式。
2025-04-21
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高電壓動態響應測試：快速負載切換下的擺率特性研究
低電壓大電流供電場景下（如微處理器及ASIC芯片），電源系統需滿足嚴苛的電壓容限要求，其動態響應特性在負載瞬態工況下尤為關鍵。此類電源的測試驗證工作面臨雙重挑戰：既要捕捉納秒級電流突變引發的細微電壓波動，又需建立精準的規范符合性評估基準。
2025-04-18
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從混動支線機到氫能飛行器：Vicor模塊化電源的航空減碳路線圖
目前可用的商業航空數據顯示，歐洲乃至全世界對額外運力的需求是不爭的事實。空中客車公司預測，到 2038 年，全球商業航空的年均增長率將達到 4.3%。
2025-04-17
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氣體傳感器選型指南：環境適應性、成本分析與核心IC解決方案
氣體傳感器作為環境監測的核心部件，廣泛應用于工業安全、智能家居、汽車電子、醫療設備等領域。不同應用場景對傳感器的溫度適應性、檢測精度、成本控制提出差異化需求。本文將深入解析五大主流氣體傳感器（電化學、半導體、紅外、催化燃燒、PID）在不同環境下的性能表現，并對比ADI、TI、Bosch等核心IC廠商的解決方案。
2025-04-16
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意法半導體監事會聲明
意法半導體有限公司 (STMicroelectronics N.V.) 監事會對 4 月 9 日意大利媒體的報道作出三點評論。
2025-04-15
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SiC MOSFET技術賦能AI數據中心，實現電源轉換能效質的飛躍
隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本，另一方面是為了減少溫室氣體排放，以實現凈零排放的目標。此外，業界也在不斷追求成本更低、尺寸更小的電源系統。
2025-04-14
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SiC如何讓EA10000電源效率飆升？電源技術優勢全解剖
為應對氣候變化挑戰，全球能源轉型已進入技術攻堅階段：非化石能源裝機占比突破50%的可再生電力系統加速構建，交通領域電氣化率以年均12%的增速持續攀升。這場變革正催生顛覆性的功率需求——電動汽車動力電池系統電壓平臺躍升至900VDC+，能量密度突破95kWh；超充樁單槍輸出功率突破240kW技術門檻；氫燃料電池堆更以500kW級功率模塊和1000A級質子交換膜電堆，重構車載能源系統的功率邊界。
2025-04-14
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權威認證！貿澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎
全球知名電子元器件分銷商貿澤電子近日再度榮膺Amphenol SV Microwave 2024年度全球代理商殊榮，這已是其連續第三年斬獲該行業權威獎項。作為射頻(RF)/微波領域的技術領航者，Amphenol SV Microwave的全系列創新產品組合——涵蓋高頻連接器、高性能電纜組件及精密無源元件——均可通過貿澤一站式采購平臺便捷獲取。
2025-04-13
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貿澤電子發布工業4.0線上資源預測性維護解決方案
全球業界知名電子元器件代理商貿澤電子（Mouser Electronics）今日正式推出全新工業4.0線上資源預測性維護解決方案，標志著工業設備運維正式邁入AI驅動時代。該平臺深度融合邊緣計算與機器學習技術，為制造業數字化轉型提供端到端技術賦能方案。新網站探討了預測性維護蘊藏的機遇和優勢，為讀者的設計之旅提供支持。
2025-04-11
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碳化硅能效革命核心突破點：共源共柵（cascode）結構詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關與軟開關應用場景中展現出顯著技術優勢。其官方發布的《SiC JFET共源共柵應用指南》系列文檔，通過三篇技術解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結構的核心機理。該指南不僅系統闡述共源共柵器件的拓撲架構，更對關鍵電參數、獨特性能優勢及設計支持體系進行全方位解讀，為功率半導體開發者提供從基礎理論到實踐應用的完整技術指引。
2025-04-08
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CITE 2025啟幕在即：頂尖展商集結 見證巔峰時刻
科技浪潮奔涌不息，從生成式AI重新定義內容創作，到Micro LED顛覆顯示技術，從量子計算突破存儲極限，到無人機重新定義低空經濟，全球電子信息產業正以驚人的速度迭代創新。在這場技術變革的洪流中，如何捕捉趨勢、鏈接生態、賦能未來？2025年4月9日—11日，將在深圳會展中心（福田）揭曉巔峰時刻。
2025-04-07
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第18講：SiC MOSFET的動態特性
SiC MOSFET的閾值電壓（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低閾值電壓可降低SiC MOSFET的通態電阻。驅動SiC MOSFET需要對柵極施加負偏壓，并仔細設計控制電路布線，這是為了防止噪聲干擾引起的故障。此外，閾值電壓隨著溫度升高而降低（圖1），因此建議在高溫運行期間檢查是否有異常。
2025-04-07
- 高性能差分信號路由：CBMG709在工業控制系統中的關鍵作用
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