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高壓柵極驅動器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關的MOSFET和IGBT柵極驅動器，可能會產生大量的耗散功率。因此，需要確認驅動器功率耗散和由此產生的結溫，確保器件在可接受的溫度范圍內工作。高壓柵極驅動集成電路（HVIC）是專為半橋開關應用設計的高邊和低邊柵極驅動集成電路，驅動高壓、高速MOSFET 而設計。
2024-10-08
高壓柵極驅動器 功率耗散 散熱
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“源”察秋毫，基于納米發電機的高熵能源微弱信號測試
基于納米發電機的高熵能源可以很好實現能源的供給。未來，在能源互聯網、智能電網、物聯網、互聯網、生物醫學、無線通信和無線傳感等領域，納米發電機都將有更廣泛應用。
2024-10-08
納米發電機 智能電網 信號測試 納米發電機
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相約第104屆中國電子展，觀眾預登記通道正式啟動！
第104屆中國電子展 上海觀眾預登記現已全面開啟！
2024-10-08
第104屆中國電子展 預登記
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超低功耗與高精度兼備，助力物聯網與可穿戴設備的性能提升
低功耗在現代電子設備設計中越來越受到重視，尤其是在物聯網（IoT）和可穿戴設備中。電池壽命的延長和設備能效的提升成為了關鍵。以瑞士微晶Micro Crystal的RV-3028-C7實時鐘模塊為例，它在時間保持模式下的超低功耗表現堪稱行業翹楚。
2024-09-30
物聯網
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從智能手機到助聽器：MEMS音頻技術開啟無限可能
近年來，微機電系統 (MEMS) 技術給音頻行業帶來了翻天覆地的變化。MEMS技術在音頻應用中使用微小的機械部件將電信號轉換成聲波，實現了更小巧、更高效的音頻設備。
2024-09-30
智能手機 助聽器 MEMS 音頻技術
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意法半導體第四代碳化硅功率技術問世：為下一代電動汽車電驅逆變器量身定制
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST；) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統的關鍵部件逆變器...
2024-09-30
意法半導體 碳化硅功率技術 電動汽車 電驅逆變器
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預補償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲
如今，Class D功率放大器在音頻系統中被廣泛使用。然而，在放大器啟動或關閉時，以及在靜音/取消靜音切換期間，揚聲器中經常會出現爆裂聲或點擊聲。這些噪音可能會被聽到，并使用戶感到不適。在音頻系統中靜音功率放大器是避免在啟動或關閉期間出現爆裂聲的有效方法。此外，音頻系統有時播放音樂，...
2024-09-29
Class D功率放大器 爆裂噪聲
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