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SiB4xxDK:Vishay采用熱增強PowerPAK SC-75封裝的N溝道功率MOSFET

發布時間:2009-08-18

產品特性:
  • 封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm
  • 提供8V~30V VDS的功率MOSFET
  • SiB408DK在10V時的導通電阻只有40m?
  • SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34m?
應用范圍:
  • 負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關
日前,Vishay 宣布,推出采用熱增強PowerPAK SC-75封裝、提供8V~30V VDS的功率MOSFET,擴大了N溝道TrenchFET家族的陣容。今天發布的器件包括業界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件,以及具有業內最低導通電阻的20V MOSFET。

已經發布的Siliconix SiB414DK是首款8V單N溝道功率MOSFET,也采用PowerPAK SC-75占位的封裝,30V SiB408DK和20V SiB412DK的加入進一步壯大了該產品系列。SiB408DK在10V時的導通電阻只有40m?,SiB412DK在4.5V時的導通電阻低至34m?,比最接近的競爭器件低21%。

PowerPAK SC-75封裝的尺寸為1.6mmx16.mmx0.8mm,比2mmx2mm的器件小72%,比廣泛使用的TSOP-6器件小72%,同時具有近似的導通電阻。而對設計者來說,更小尺寸的PowerPAK SC-75能夠在便攜式電子產品中節省空間、降低功耗,從而在滿足消費者對電池運行時間要求的前提下,提供更多的功能。

N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET的典型應用包括負載、功放和便攜式電子產品中的電池開關。與常用的3mm x 3mm封裝相比,該器件可節約在1/8磚或1/16磚電源模塊中的所占空間。SiB408DK還可用做筆記本電腦和上網本中的負載開關。

這些器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規范和RoHS指令2002/95/EC。MOSFET百分之百通過了Rg和UIS測試。

器件規格表

型號

SiB414DK

SiB412DK

SiB408DK

VDS

8 V

20 V

30 V

VGS

± 5 V

± 8 V

± 20 V

RDS(ON) @ 10 V

 

 

40 m?

RDS(ON) @ 4.5 V

26 m?

34 m?

50 m?

RDS(ON) @ 2.5 V

30 m?

40 m?

 

RDS(ON) @ 1.8 V

37 m?

54 m?

 

RDS(ON) @ 1.5 V

52 m?

 

 

RDS(ON) @ 1.2 V

89 m?

 

 


新款N溝道PowerPAK SC-75功率MOSFET現可提供樣品,并已實現量產,大宗訂
貨的供貨周期為十周至十二周。
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