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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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新推出的同步SAR模數轉換器的片內校準優勢
本文評估在電阻模數轉換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅動ADC和縮放輸入信號，允許直接連接傳感器。但是，有幾個原因導致在設計期間，我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預期的增益誤差，該誤差...
2022-06-14
SAR 模數轉換器 ADI
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手機無線充電器壞了
對于手邊的一款外部引線斷裂的蘋果手機無線充電器進行拆卸，觀察其內部電路工藝設計。但是由于電路上主要芯片型號文字顯示不清，故此對于其主要工作原理尚不清楚。
2022-06-14
手機 無線充電器
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功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現方法是：
2022-06-13
功率器件 功率密度
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25kW SiC直流快充設計指南(第五部分)：控制算法、調制方案和反饋
在本系列文章的第一至第四部分中[1-4]，我們從硬件角度分享并廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發。圖1代表到目前為止所討論的系統。
2022-06-13
直流快充 設計指南 控制算法
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預計2021至2027年間，全球xEV市場的復合年增長率將達到21%，所有細分市場的復合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術也將大幅增長。事實上，不同技術的普及率取決于地區。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應鏈
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學會這4招，輕松搞定開關電源EMI
開關電源作為當下電控系統中的基礎、主流的裝置，被廣泛應用于計算機、通信、電子設備等諸多應用，且由于其不存在替代設備，因此市場規模十分龐大。隨著“低碳時代”的到來，電子設備日趨小型化、輕薄化、節能化，開關電源的市場規模也迎來了進一步的增長。
2022-06-10
開關電源 EMI
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如何充分延長電池壽命？這些電源設計要素你要掌握！
遠程患者監護儀(RPM)在不斷發展，包含的功能越來越多，使醫生能夠更深入地了解患者的健康狀況。這些功能對為監護儀供電的單體電池提出了更高要求。本文為ECG（心電圖）遠程患者監測貼片提供了一個電源解決方案，旨在延長電池壽命，充分發揮監測作用。本文還介紹了準確估計RPM電池壽命的策略，以及在...
2022-06-09
電池壽命 電源設計 RPM
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