-
1700V耐壓破局！Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅動、電動汽車及可再生能源系統的隱形戰場——輔助電源系統中，Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業痛點：在確保多源采購靈活性的前提下，同步實現系統尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%，破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
-
第八屆中國 IC 獨角獸榜單發布
本次評選聚焦集成電路全產業鏈,旨在挖掘具有高成長性和技術突破的創新企業,通過系統化估值與行業賦能,助力中國半導體產業在全球競爭中實現高質量發展。
2025-07-01
-
IOTE 2025深圳物聯網展：七大科技領域融合，重塑AIoT產業生態
2025年8月27-29日，深圳國際會展中心（寶安）將迎來IOTE第24屆國際物聯網展的科技盛宴。在全球AIoT技術深度賦能產業轉型的關鍵節點，本屆展會首次構建跨領域協同生態，強勢整合通用人工智能（AGIC）、智慧商顯、電子紙、行業智能解決方案、嵌入式系統、AI玩具及邊緣計算七大前沿領域。通過推動“數據感知 - 智能決策 - 場景落地”全鏈路貫通，展會將加速智能制造迭代升級、助力智慧城市系統優化、重構智慧生活新范式，為500+參展企業搭建技術創新與產業升級的核心樞紐。
2025-07-01
-
MHz級電流測量突破：分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體（SiC/GaN）驅動的ns級開關場景中，表面貼裝分流電阻（SMD CVR）的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明：2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態下產生＞38%電壓過沖，導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%（Vishay WSLP2512測試數據），嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±1%精度要求的應用。本文提出基于矢量網絡分析儀（VNA）的頻響建模技術，通過精準量化寄生參數（Lp/Cp），并設計臨界阻尼RC補償網絡，將1MHz測量誤差壓縮至＜1%、過沖抑制＞90%，單方案成本＜$0.1，為高可靠性功率系統提供底層保障。
2025-07-01
-
一文讀懂SiC Combo JFET技術
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用，如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅（SiC）優異的材料特性和 JFET 的高效結構，可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。
2025-06-26
-
離座秒鎖屏！意法半導體新推人體存在檢測技術守護PC智能設備隱私安全
意法半導體（STMicroelectronics）近日發布新一代人體存在檢測（HPD）技術，通過集成FlightSense?飛行時間（ToF）傳感器與AI算法，為筆記本電腦、PC及顯示設備帶來能效與安全性的雙重突破。該方案可降低設備日用電量超20%，同時強化隱私保護與信息安全。其核心功能包括：基于頭部姿態識別的智能屏幕亮度調節、用戶離席自動鎖屏與返座喚醒，以及多人圍觀時的隱私警報。結合Windows Hello生物識別技術，用戶無需手動操作即可完成設備交互，體驗全面升級。
2025-06-26
-
安森美SiC技術賦能AI數據中心，助力高能效電源方案
緊跟人工智能的算力步伐，全球數據中心正面臨前所未有的能耗挑戰。面對大模型訓練、實時推理等場景帶來的指數級能耗增長，全球領先的智能電源與感知技術供應商安森美（onsemi）正式推出《AI數據中心系統方案指南》，首次系統性展示其基于尖端碳化硅（SiC）技術的全鏈路電源解決方案，為下一代超算中心提供從電網接入到芯片供電的完整能效優化路徑。
2025-06-25
-
控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設計中，控制回路的穩定性是確保電源可靠運行的關鍵。一個設計不當的控制回路可能導致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應速度直接影響到電源對負載變化和輸入電壓波動的適應能力。為了確保電源的穩定性和高效性，控制回路的仿真分析至關重要。
2025-06-25
-
破局電動車續航！羅姆第4代SiC MOSFET驅動助力豐田bZ5性能躍遷
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。
2025-06-24
-
戰略布局再進一步：意法半導體2025股東大會關鍵決議全票通過
意法半導體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會全票通過所有決議案。作為全球多重電子應用領域領導者，此次決議將為公司戰略布局注入新動能。
2025-06-20
-
從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南
在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。
2025-06-19
-
破解工業電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓撲選擇策略
工業設備電動化浪潮下，電池充電器面臨嚴苛挑戰：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動/粉塵/溫變等惡劣條件下實現高效供電，同時滿足尺寸重量極限壓縮與無風扇散熱需求。本文聚焦PFC級核心設計，對比升壓與圖騰柱拓撲的實戰優劣，解析SiC MOSFET如何重構工業充電器性能邊界。
2025-06-19
- 高性能差分信號路由：CBMG709在工業控制系統中的關鍵作用
- SENSOR CHINA 十年征程：引領中國傳感產業邁向全球新高度
- ADI高集成度電化學方案：解鎖氣體與水質檢測新密碼
- 智能選型新紀元：Melexis可視化工具重塑傳感器選擇體驗
- 二級濾波器技術：實現低于2mV電源紋波的有效方案
- SEMI-e 2025深圳半導體展隆重開幕：全球產業鏈共探創新未來
- 意法半導體保障SPC58汽車MCU供應20年，破解供應鏈焦慮
- 立足前沿產品技術，村田攜多款產品亮相2025光博會
- 工業電源系統設計指南：深入理解DIN導軌電源的熱降額與負載降額
- 兆易創新亮相CIOE，以創新方案賦能高速光通信
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
