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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優于硅基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅動設計 誤開通
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
理想開關自身會帶來挑戰
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如何快速了解預采購的電源器件性能？
自第二次工業革命之后，人類社會的發展和電能深度綁定，電氣/電子設備被廣泛應用于工業、醫療、能源、交通、民生等各個領域。隨著用電設備從單一回路逐漸演變成為系統，將電能合理、有效地分配給系統中的每個器件尤為重要。一個優秀的電源管理系統不僅能夠保障系統的用電安全，更是設備做到高效節能...
2022-02-10
電源器件 性能
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適用于電流模式DC-DC轉換器的統一的LTspice AC模型
當電源設計人員想要大致了解電源的反饋環路時，他們會利用環路增益和相位波特圖。知道環路響應可進行預測有助于縮小反饋環路補償元件的選擇范圍。
2022-02-09
電流模式DC-DC轉換器 LTspice AC模型
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開關穩壓器的封裝體積正變得越來越小
開關穩壓器電路已經存在多年，用戶可以選擇使用分立式組件來設計自己的產品，也可以購買模塊化成品。如今，能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術讓模塊化方案獲得更多的青睞。
2022-02-09
開關穩壓器 封裝體積
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較于傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上...
2022-02-08
基本半導體 碳化硅肖特基二極管
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開關電源設計中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關頻率設計的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計算開關頻率的關鍵指標，以及更高頻率設計的難點所在。本文將把這些開關頻率的概念應用到實際場景當中。
2022-02-07
開關電源 設計 頻率
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識別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩定是由多種因素造成的，例如補償參數不當或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當電流模式開關穩壓器具有連續電感電流且占空比超過 50% 時可能產生的不穩定形式，而這種振蕩會導致不穩定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開關穩壓器
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