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Sistema稱正與俄羅斯政府攤旁合伙收購英飛凌
12月15日消息，俄羅斯Sistema公司總裁今日表示，公司正在就俄羅斯政府可能收購英飛凌股份一事中成為俄方合作伙伴之一進行談判。英飛凌是德國最大的芯片制造商。
2009-12-21
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
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日立低價位ESC傳感器：確保耐熱性及抗振性，可內置于油壓單元
日立制作所和日立汽車系統(tǒng)（Hitachi Automotive Systems）于2009年10月宣布共同開發(fā)出了ESC用傳感器。該傳感器的特點是：提高了耐熱性及抗振性，可與發(fā)動機室內的油壓單元一體化。包括組裝成本在內，成本有望比原來降低50％。預定2012年開始量產。
2009-12-16
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IMEC等利用MEMS元件振動發(fā)電達85μW
比利時研究機構IMEC、荷蘭研究機構Holst Centre與TNO在“2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）”上宣布，聯(lián)合開發(fā)出了將振動能量轉換為電力的MEMS元件，并獲得了最大85μW的電力。此前IMEC開發(fā)出的MEMS元件中，最大電力為60μW。
2009-12-15
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SolarStrap：Suntrica公司推出太陽能充電器產品
來自北歐的Suntrica公司曾于11月份在亞洲移動通訊展上展示過一款太陽能充電器產品SolarStrap，近日這款產品已正式上市，售價為40美元。
2009-12-14
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提高客服質量強化銷售業(yè)績，ST改組地區(qū)結構
意法半導體今近日宣布全球市場銷售組織改組計劃，此項行動旨在于提高客戶服務品質，加強市場銷售組織的整體業(yè)績。改組計劃從2010年1月1日起生效，屆時意法半導體在亞洲地區(qū)將由兩個大區(qū)組成：大中國及南亞區(qū)，日本及韓國區(qū)。
2009-12-10
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LT3990：Linear推出350mA、60V 超低靜態(tài)電流降壓型開關穩(wěn)壓器
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 350mA、60V 超低靜態(tài)電流降壓型開關穩(wěn)壓器 LT3990。其突發(fā)模式 (Burst Mode?) 工作在無負載情況下保持靜態(tài)電流低于 2.5uA。LT3990 的 4.3V 至 60V 輸入電壓范圍使其非常適合汽車和工業(yè)應用，這類應用需要具超低功耗的連續(xù)輸出。
2009-12-10
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FAN6754：飛兆半導體推出提升輕負載效率的PWM控制器
關注全球節(jié)能的領導廠商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出一系列脈寬調制(PWM)控制器，新產品可讓筆記本電腦電源的設計人員滿足嚴苛的國際節(jié)能規(guī)范要求，包括強制要求工作模式下最低平均效率達到87%的能源之星(ENERGY STAR)外部電源(External Power Supply, EPS) 2.0版規(guī)范。
2009-12-09
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保時捷開發(fā)出12V鋰離子充電電池，將從2010年開始銷售
德國保時捷（Porsche）近日宣布，該公司開發(fā)出了采用鋰離子充電電池的12V電池，將從2010年1月開始在德國銷售。可配備該電池的汽車為“911 GT3”、“911 GT3 RS”和“Boxster Spyder”3款車型。
2009-12-02
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WSTS看好2010及2011年全球半導體業(yè)
國際上最具權威的半導體業(yè)分析機構WSTS，認為2009年全球半導體業(yè)將下降11%,但2010年全球半導體業(yè)將增長12%，達到2470億美元，此數(shù)據(jù)比7月的預測又增加了18%。其中最快的亞太地區(qū)將從2009年的下降53%，躍升到增長13.5%。
2009-12-02
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WSTS：全球半導體市場出現(xiàn)改善征兆
《世界半導體市場統(tǒng)計》(WSTS)對2009～2011年的半導體市場的預測增長率進行了修改。與2008年相比，2009年業(yè)績下降11.5%，總額2201億美元(約19.6萬億日元)。由于各國都實施了經濟刺激政策，實際業(yè)績比5月預測的下降21.6%改善了10.1個百分點。
2009-11-30
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Stack與NICT共同開發(fā)出新型電場探測器 可準確測量出微小電場
日本Stack電子開發(fā)出了可準確測量微小電場分布狀態(tài)的光外差法光電效應電場探測器“LEO-Probe”。該產品采用日本信息通信研究機構（NICT）轉讓的技術開發(fā)，適用于電子設備的EMC測量、天線附近的電場測量、開發(fā)高頻電路時的驗證作業(yè)、高速/高密度電路的放射電場測量以及超高速半導體的運行狀態(tài)分析等。
2009-11-27
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